一、多光谱单片红外焦平面列阵探测器（论文文献综述）
王云姬[1]（2014）在《集成滤光微结构的InGaAs短波红外探测器》文中提出未来InGaAs红外焦平面探测器的发展方向是多谱段、集成化和低功耗方向，在InGaAs探测器上集成滤光膜，实现新型单片多谱段探测器，有利于抑制传统探测系统中普遍存在的“串色”问题，以适应短波红外探测系统紧凑、小型化的发展要求。本论文主要针对片上集成滤光微结构的高性能InGaAs短波红外探测器的要求，围绕平面型InGaAs探测器工艺，分别研究扩散和钝化对器件性能的影响，以及材料结构参数与探测器性能之间的关系，制备了背照射的512×128InGaAs探测器；对近红外InGaAs探测器进行了电容特性研究，分析了焦平面耦合噪声与探测器电容的关系；研究了集成滤光膜器件的性能，包括滤光微结构的设计以及性能表征，和集成双波段滤光膜器件的性能分析，并对滤光膜的环境适应性机理进行了研究。分别采用等离子体增强化学气相沉积技术（PECVD）和感应耦合等离子体化学气相沉积（ICP-CVD）生长的氮化硅薄膜作为扩散掩膜和钝化膜，制备了小规模面阵结构器件，并分析了其对器件暗电流的影响，研究表明，采用ICP-CVD氮化硅薄膜具有较好的性能；采用扫描电容显微镜测试了结深，获得了结深与扩散时间的关系，并获得了扩散结深与器件暗电流和量子效率的关系；对材料结构参数与探测器性能进行了理论分析与实验研究，结果表明，量子效率随吸收层厚度的增加而下降；随吸收层厚度的增加，量子效率先增加后变平缓。在器件工艺优化的基础上，设计并制备了512×128焦平面，实现了焦平面实验室成像验证。研究了近红外InGaAs探测器的电容-电压特性（C-V），从C-V曲线提取吸收层浓度和少数载流子寿命，并以不同面积周长比的测试结构器件为对象，模拟了器件电容-电压曲线，与实测结果一致，扣除电极寄生电容和管壳附加电容后其更接近体电容；提取内建电场为0.64V，吸收层掺杂浓度为7.78E16cm-3；分析了基于子像元模式的探测器电容，发现子像元电容随子像元个数的增大而降低，并研究了子像元电容和焦平面噪声的关系，发现焦平面噪声和焦平面噪声稳定时间均随随子像元器件电容的降低而降低。在集成滤光膜器件研制方面，介绍了微F-P谐振腔的设计理论，对中心波长1.38微米和1.60微米谱段滤光膜进行了设计与仿真；表征了滤光膜结构，光学显微照片和原子力显微镜表明滤光膜的表面形貌较完整，TEM、SEM结合EDX能谱成分图显示滤光膜是由高折射率层Si和低折射率层SiO2组成的三谐振腔结构，与理论设计基本符合；滤光膜的傅里叶红外光谱图显示滤光膜的中心波长与设计值吻合,滤光膜的透射率与界面形貌有关，较好界面状况的滤光膜透射率为68%，滤光膜的中心波长随间隔层厚度的增大而增大；研究分析了滤光膜制备工艺对器件性能的影响，分别对集成滤光膜器件和未集成滤光膜器件进行了性能对比，发现集成滤光膜工艺对器件的暗电流性能影响不大；获得了探测器与滤光膜工艺兼容方法，设计并制备了400×2元双谱段InGaAs焦平面探测器。本文进一步研究了滤光膜的环境适应性机理，包括退火对滤光膜形貌以及光学透射性能的影响，并对其机理进行了分析，250℃退火和300℃退火更加有效的改善了滤光膜的透射性能，测试了温度循环烘烤实验和湿度对滤光膜形貌以及光学透射性能的变化。
康冰心,蔡毅,王岭雪,薛唯,高岳[2]（2014）在《硅化铂红外焦平面探测器性能改进技术分析》文中研究说明硅化铂红外焦平面探测器具有响应光谱宽、规模大、均匀性好、时间稳定性高、制造成本低等优点,在多/宽光谱成像、激光探测、天文观测、医疗检测等领域具有应用潜力,但NETD 100 mK的灵敏度对其广泛应用有一定的限制。文中从该探测器的量子效率和填充因子两方面总结和分析了国内外的改进技术,重点分析了光腔结构、多孔硅结构、重掺杂P+和合适硅化铂膜厚提高量子效率的机理,并定量比较了提升幅度:多孔硅结构提升幅度最大,在波长4μm处的量子效率可达27%;相比内线转移CCD,电荷扫描器件、曲流沟道CCD和混合读出结构均能改善填充因子,其中混合读出结构的填充因子可提高为80%。微透镜列阵能将填充因子提高到85%以上。
刘武,叶振华[3]（2011）在《国外红外光电探测器发展动态》文中研究说明主要综述三代红外光电探测器的材料体系与研究现状,以及分析红外光电探测器的未来发展趋势。首先,简述红外光电探测器及其三个发展阶段。然后,论述适于三代红外光电探测器发展的碲镉汞（HgCdTe）、量子阱光探测（QWIPs,quantum-well photodetectors）、二类应变超晶格（SLS,type-Ⅱstrained-layer superlattices）和量子点红外光探测（QDIPs,quantum dot IR photodetectors）四个材料体系,以及介绍它们在三代红外光电探测器方面的研究进展。最后,分析未来红外光电探测器的材料选择及发展趋势。
顾聚兴[4]（2008）在《红外技术与应用ⅩⅩⅫ（SPIE Vol．6206）》文中认为第一部分一、短波红外成像技术1.从可见光到红外;一种新的探测器方法（P.Chorie等,法国红外公司） 2.用离子注入法制作低暗电流高性能Hg0.57Cd0.43
陈良惠[5]（2008）在《Ⅲ-Ⅴ族半导体全（多）光谱焦平面探测器新进展》文中进行了进一步梳理近年来,经济社会和武器装备的信息化对半导体光电子学器件提出了更高的要求,无论是国防还是民用工程都需要有自己的关键器件。光电探测器组件作为关键器件之一,世界各国都给予了高度重视,也取得了很大的进展。文中主要介绍了Ⅲ"Ⅴ族半导体全（多）光谱焦平面探测器的研究进展情况,包括量子阱红外探测器（QWIP）、AlGaN紫外焦平面探测器、InGaAs近红外室温焦平面探测器和Sb化物焦平面探测器等。
顾聚兴[6]（2007）在《用于热红外推帚式成像的512×3元非致冷焦平面列阵》文中提出计划中用以执行地球和行星观测任务的热红外成像仪器越来越多。并入这些仪器的非致冷微测辐射热计技术给这些仪器带来了尺寸、重量和功耗方面的优势,这些优势有利于执行小卫星任务,对于微型卫星和纳米卫星来说则更是必不可少的条件。加拿大海洋研究所和标准协会已研究成功一种独特而通用的加拿大微测辐射热计工艺技术。最近,他们用这种技术研制成一个非致冷焦平面列阵以满足基于卫星的热红外成像的特殊要求。列阵由三行并行的像元构成,每行有512个像元,像元的间距为39μm。为了实现在片像元偏差校准并提高对电路小片温度变化的不敏感性,每个像元都包含着有源探测器和参考探测器。读出电路以并行方式对每一个像元进行积分,从而消除了其本身的偏差和低频噪声,并提供14bit的数字输出。一种用以操作512×3元焦平面列阵并使其采集数据的紧凑型电路插件装置已设计并制成。它被装在一个75mm×75mm×50mm的封壳中,其功耗为3．75W。
郝国强[7]（2006）在《InGaAs红外探测器器件与物理研究》文中提出本论文对InGaAs探测器的器件表征及器件性能进行了研究，主要分析了影响探测器暗电流及R0A的各种噪声机制，取得了如下结果： 1．从理论与实验两个方面对In0.53Ga0.47As探测器的I-V特性进行了分析，结果表明在反向偏置低压区，产生—复合电流占主导地位，在反向偏置高压区，带带间隧道电流占主导地位。研究了In0.53Ga0.47As探测器结面积和电极尺寸对探测器暗电流的影响。探讨了In0.53Ga0.47As探测器反向偏压下暗电流的温度特性并对In0.53Ga0.47As探测器的R0A进行了分析，其中主要探讨了R0A随温度及i层载流子浓度的变化关系。此外，对In0.53Ga0.47As探测器的均匀性进行了研究。 2．测试了扩展波长In0.6Ga0.4As，In0.7Ga0.3As和In0.8Ga0.2As探测器的光谱响应，C-V特性，I-V特性和R0A。对探测器系列的I-V特性进行理论模拟，理论模拟中暗电流分量主要包括扩散电流，产生复合电流，欧姆电流，隧道电流，理论结果与实验结果得到了较好的符合。用液氦循环制冷实现温度的变化测量暗电流随温度的变化关系，并进行了理论分析。此外，对扩展波长In0.6Ga0.4As，In0.7Ga0.3As和In0.8Ga0.2As探测器的R0A进行了研究，其中主要探讨了R0A随温度以及i层载流子浓度的变化关系，结果表明采用热电制冷，探测器可望获得更高的性能；i层的轻掺杂可使探测器的R0A得到改善。 3．对In0.53Ga0.47As探测器阵列进行了初步的研究，制作了4×2元In0.53Ga0.47As阵列，初步测量了In0.53Ga0.47As探测器阵列的性能，为以后In0.53Ga0.47As探测器阵列的研究打下基础。
高国龙[8]（2005）在《红外技术与应用XXX（SPIE Vol.5406）》文中研究表明一、短波红外成像及测距1.用于高灵敏度探测的做在硅上的InGaAs光电探测器（Martin Bitter等） 2.用于短波红外成像的InAlAs/InGaAs雪崩光电二极管列阵的表征（Joseph c.Boisvert等） 3.采用InGaAs焦平面列阵的距离选通成像（Robert M.Brubaker等） 4.λc=2.5μm的HgCdTe HDVIP探测器的可见光响应（Maryn G.Stapelbroek等） 5.用于可见光成像的InGaAs/InP焦平面列阵（Tara J.Martin等）
柯才军[9]（2005）在《微透镜阵列的设计、制作及与CCD的集成技术》文中认为随着现代光学的发展,微光学元件的研究和在各个领域中的应用已经引起国内外科研工作者越来越高度的重视。微透镜阵列就是其中一种重要的微光学元件。本文对于微透镜阵列的设计理论、制作工艺、性能测试进行研究,并着重研究了微透镜阵列与CCD 图像传感器的集成技术,达到改善图像传感器光敏性的目的。本文的主要内容如下: （1） 概述了微光学技术的发展以及微光学元件的种类,介绍了微透镜阵列的研究和应用以及微透镜阵列与CCD 图像传感器集成应用现状。（2） 介绍了微透镜阵列的光学设计理论。包括折射微透镜的几何光学设计方法和衍射微透镜的衍射光学设计理论。对折射和衍射透镜的色散效应进行了理论上的分析。基于严格的矢量衍射理论,分析了亚波长结构衍射元件的衍射机理。此外,本文还分析了制作误差等因素对微透镜阵列衍射效率的影响,对系统中的光能损失进行了分析。（3） 对实用情况下出现的小冠高衍射微透镜,提出了表面直接台阶量化的设计方法,并将此方法应用于CCD 图像传感器的微透镜阵列进行了设计。此方法可以避免采用一般的设计方法对小冠高衍射微透镜设计时所出现的有限台阶数的问题,有效地保证了微透镜保持较高的衍射效率。（4） 基于MEMS（微电子机械系统,Micro-Electro-Mechanical-System）工艺,讨论了微透镜的制作方法,包括紫外光刻、图形转移方法。尤其是对三组分气体SF6/O2/CHF3 反应离子刻蚀方法进行了深入的研究,在硅衬底上得到了比较理想的图形转移效果。同时,首次进行了以聚合物为基的微透镜的制作,并制作出了比较理想的微透镜。（5） 建立了针对微透镜的微光学测试系统,介绍了参数的测量方法,可以测量微透镜的点扩散函数、衍射效率、焦长等性能参数,使得可以有效地对制作的微透镜进行评价。文中同时分析了测量中的误差及影响因素。（6） 对场镜形式的微透镜与CCD 集成系统的聚光效率问题进行了光学分析,使得集成器件有最好的光耦合效果。（7） 重点研究了衍射微透镜在256×256 元Pt/Si IRCCD 上的应用。通过将衍射微
AramM.Mika,高国龙[10]（1998）在《陆地卫星仪器的三十年(下)》文中研究指明 主题绘图仪扫描镜及其连带的伺服机构比多光谱扫描仪更复杂,因为主题绘图仪扫描镜的尺寸更大（53cm）,而且由于其空间分辨率较高,动态平直度和扫描线性度要求也就更严格。铍由于其劲度-重量比的原因又成了被选用的材料,但为了
二、多光谱单片红外焦平面列阵探测器（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、多光谱单片红外焦平面列阵探测器（论文提纲范文）
（1）集成滤光微结构的InGaAs短波红外探测器（论文提纲范文）
| 致谢 |
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 1 引言 |
| 1.1 短波红外探测的目的和意义 |
| 1.2 短波红外探测器及其发展趋势 |
| 1.2.1 1.7μm InGaAs FPA |
| 1.2.2 可见-InGaAs FPA |
| 1.2.3 2.6μm InGaAs FPA |
| 1.2.4 InSb FPA |
| 1.2.5 HgCdTe |
| 1.3 InGaAs短波红外焦平面探测器的研究进展 |
| 1.3.1 InGaAs探测器 |
| 1.3.2 0.9-1.7μm波段的InGaAs探测器研究情况 |
| 1.3.3 InGaAs可见/短波红外探测器研究进展 |
| 1.3.4 长波方向InGaAs红外探测器研究进展 |
| 1.3.5 InGaAs短波红外焦平面器件发展趋势 |
| 1.4 新型多谱段InGaAs探测器片上集成技术 |
| 1.4.1 片上集成滤光微结构的意义 |
| 1.4.2 集成滤光片的多谱段探测器研究进展 |
| 1.4.2.1 国外研究现状 |
| 1.4.2.2 国内研究现状 |
| 1.4.3 片上集成滤光微结构的技术难点 |
| 1.5 本论文的研究目的和主要内容 |
| 参考文献 |
| 2 平面型InGaAs探测器工艺 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 平面型InGaAs探测器关键工艺研究 |
| 2.2.1 实验样品与工艺参数 |
| 2.2.2 钝化对器件性能影响研究 |
| 2.2.2.1 钝化机理研究 |
| 2.2.2.2 扩散掩膜对器件性能影响研究 |
| 2.2.2.3 第二次钝化对器件性能影响研究 |
| 2.2.3 扩散结深对器件性能影响研究 |
| 2.2.3.1 实验 |
| 2.2.3.2 测试结果以及性能表征 |
| 2.3 材料结构参数与探测器性能的理论分析与实验研究 |
| 2.3.1 不同材料结构参数的器件的量子效率分析 |
| 2.3.2 掺杂浓度和结深与器件量子效率和暗电流的实验研究 |
| 2.4 512×128 InGaAs近红外探测器研究 |
| 2.4.1 探测器芯片制备与测试 |
| 2.4.2 512×128焦平面性能及实验室成像 |
| 2.5 本章小结 |
| 参考文献 |
| 3 近红外InGaAs探测器电容特性研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 探测器电容理论分析 |
| 3.3 InGaAs探测器C-V特性研究 |
| 3.4 基于子像元模式的探测器电容分析 |
| 3.5 探测器电容对焦平面噪声的影响 |
| 3.6 本章小结 |
| 参考文献 |
| 4 滤光膜及集成滤光膜器件的研制与性能研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 滤光微结构的设计 |
| 4.3 滤光微结构的制备以及性能表征 |
| 4.4 集成滤光膜器件性能分析 |
| 4.4.1 滤光膜制备工艺对器件性能影响分析 |
| 4.4.2 集成双波段器件性能分析 |
| 4.6 本章小结 |
| 参考文献 |
| 5 滤光膜的环境适应性机理研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 退火对滤光膜性能研究 |
| 5.2.1 实验 |
| 5.2.2 退火前后表面形貌变化及理论分析 |
| 5.2.3 退火后滤光膜光学性能变化及分析 |
| 5.3 温度烘烤对滤光膜性能影响研究 |
| 5.3.1 实验 |
| 5.3.2 结果表征与讨论 |
| 5.4 湿度对滤光膜性能影响研究 |
| 5.4.1 实验 |
| 5.4.2 结果表征与讨论 |
| 5.5 本章小结 |
| 参考文献 |
| 6 全文总结与展望 |
| 6.1 全文总结 |
| 6.2 展望 |
| 作者简介及在学期间发表的学术论文与研究成果 |
（3）国外红外光电探测器发展动态（论文提纲范文）
| 1 引 言 |
| 2 三代探测器的材料体系与发展现状 |
| 2.1 HgCdTe材料及其三代红外探测器 |
| 2.2 QWIPs材料及其三代红外探测器 |
| 2.3 二类SLS材料及其三代红外探测器 |
| 2.4 QDIPs材料及其三代红外探测器 |
| 3 红外光电探测器的发展趋势 |
| 3.1 未来光电探测材料的选择[1, 7] |
| 3.2 红外光电探测器的新概念 |
| 3.2.1 甚长波红外焦平面探测器[18-19] |
| 3.2.2 双色与多色探测器[1-2] |
| 3.2.3 主被动双模器件[1-2, 20] |
| 3.2.4 多光谱红外焦平面探测器 |
| 3.2.5 偏振选择红外焦平面探测器[1-2, 21] |
| 4 结束语 |
（5）Ⅲ-Ⅴ族半导体全（多）光谱焦平面探测器新进展（论文提纲范文）
| 0 引言 |
| 1 基于Ⅲ-Ⅴ族半导体的全 (多) 光谱焦平面探测器的重要优势 |
| 2 Ga As基量子阱红外探测器 |
| 2.1 量子阱红外探测器简介 |
| 2.2 国内外发展概况 |
| 2.3 应用实例 |
| 2.4 主要问题和发展方向 |
| 2.5 量子点红外探测器 (QDIP) |
| 3 Ga N基紫外探测器 |
| 3.1 Ga N基紫外探测器简介 |
| 3.2 Ga N基紫外探测器国内外发展概况 |
| 3.3 紫外探测器的重要应用 |
| 4 室温In Ga As近红外探测器 |
| 5 Sb化物近红外半导体探测器 |
| 6 结束语 |
（7）InGaAs红外探测器器件与物理研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 论文目录 |
| 第一章 引言 |
| 第二章 文献综述 |
| 2.1 红外探测器的发展简史 |
| 2.2 红外探测器应用 |
| 2.3 红外探测器分类 |
| 2.4 InGaAs红外探测器 |
| 2.4.1 InGaAs和InP的材料特性 |
| 2.4.2 InGaAs和InP材料的GSMBE生长 |
| 2.4.3 InGaAs／InP红外探测器 |
| 2.5 InAsSb红外探测器发展 |
| 2.6 本章小结 |
| 第三章 光伏探测器原理及性能分析 |
| 3.1 光伏型PIN探测器工作原理 |
| 3.2 表征探测器性能的基本参数 |
| 3.2.1 响应度 |
| 3.2.2 探测率 |
| 3.2.3 暗电流 |
| 3.2.4 电容 |
| 3.2.5 R_0A |
| 3.2.6 光谱响应 |
| 3.3 器件测试 |
| 3.3.1 I-V特性测量系统 |
| 3.3.2 光谱响应测量系统 |
| 3.3.3 C-V特性测量系统 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 In_(0.53)Ga_(0.47)As PIN光电探测器性能分析 |
| 4.1 In_(0.53)Ga_(0.47)As探测器器件结构与工艺 |
| 4.2 In_(0.53)Ga_(0.47)As探测器光谱响应 |
| 4.3 In_(0.53)Ga_(0.47)As探测器I-V特性 |
| 4.3.1 In_(0.53)Ga_(0.47)As探测器I-V特性测试及理论分析 |
| 4.3.2 In_(0.53)Ga_(0.47)As探测器暗电流的温度特性 |
| 4.4 In_(0.53)Ga+(0.47)As探测器R_0A |
| 4.4.1 R_0A的温度特性 |
| 4.4.2 R_0A随i层载流子浓度的变化关系 |
| 4.5 In_(0.53)Ga_(0.47)As探测器均匀性的研究 |
| 4.6 本章小结 |
| 第五章 扩展波长InGaAs探测器性能研究 |
| 5.1 扩展波长In_xGa_(1-x)As探测器器件结构及器件工艺 |
| 5.2 扩展波长In_xGa_(1-x)As探测器光谱响应 |
| 5.3 扩展波长In_xGa_(1-x)As探测器C-V特性 |
| 5.4 扩展波长In_xGa_(1-x)As探测器Ⅰ-Ⅴ特性 |
| 5.4.1 正向偏置Ⅰ-Ⅴ特性 |
| 5.4.2 反向偏置Ⅰ-Ⅴ特性 |
| 5.4.3 暗电流温度特性 |
| 5.5 扩展波长In_xGa_(1-x)As探测器R_0A分析 |
| 5.5.1 R_0A温度特性分析 |
| 5.5.2 R_0A随i层载流子浓度变化关系 |
| 5.6 本章小结 |
| 第六章 InGaAs探测器阵列研究 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 红外探测器阵列发展 |
| 6.3 In_(0.53)Ga_(0.47)As探测器阵列的研究 |
| 6.4 本章小结 |
| 第七章 结论 |
| 参考文献 |
| 发表文章目录 |
| 致谢 |
| 作者简介 |
（9）微透镜阵列的设计、制作及与CCD的集成技术（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 1 绪论 |
| 1.1 概述 |
| 1.2 微透镜及阵列 |
| 1.3 微透镜阵列的制作 |
| 1.4 微透镜与图像传感器的集成 |
| 1.5 本论文的研究 |
| 2 微光学元件设计理论 |
| 2.1 折射微透镜的几何光学设计理论 |
| 2.2 衍射微透镜的标量设计理论 |
| 2.3 衍射微透镜的衍射效率 |
| 2.4 衍射元件的矢量理论-耦合波理论 |
| 2.5 折射和衍射光学元件的色散 |
| 2.6 光学系统中的光能损失 |
| 2.7 本章小节 |
| 3 微透镜阵列的制作 |
| 3.1 光刻技术 |
| 3.2 图形转移技术 |
| 3.3 反应离子刻蚀技术 |
| 3.4 微透镜的制作工艺 |
| 3.5 特种材料为基的微透镜的制作 |
| 3.6 本章小结 |
| 4 微光学性能测试 |
| 4.1 微透镜质量评价方法 |
| 4.2 表征聚能微透镜性能的主要参数 |
| 4.3 微光学测试系统 |
| 4.4 影响测量精度的因素分析 |
| 4.5 本章小节 |
| 5 微透镜阵列与CCD 集成研究 |
| 5.1 CCD 图像传感器 |
| 5.2 微透镜改善图像传感器性能分析 |
| 5.3 集成系统光学分析 |
| 5.4 集成实验研究 |
| 5.5 影响集成器件整体性能的因素 |
| 5.6 本章小节 |
| 6 总结与展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 附录1 攻读博士学位期间发表的论文目录 |
| 附录2 申请专利 |
四、多光谱单片红外焦平面列阵探测器（论文参考文献）
- [1]集成滤光微结构的InGaAs短波红外探测器[D]. 王云姬. 中国科学院研究生院（上海技术物理研究所）, 2014(01)
- [2]硅化铂红外焦平面探测器性能改进技术分析[J]. 康冰心,蔡毅,王岭雪,薛唯,高岳. 红外与激光工程, 2014(03)
- [3]国外红外光电探测器发展动态[J]. 刘武,叶振华. 激光与红外, 2011(04)
- [4]红外技术与应用ⅩⅩⅫ（SPIE Vol．6206）[J]. 顾聚兴. 红外, 2008(05)
- [5]Ⅲ-Ⅴ族半导体全（多）光谱焦平面探测器新进展[J]. 陈良惠. 红外与激光工程, 2008(01)
- [6]用于热红外推帚式成像的512×3元非致冷焦平面列阵[J]. 顾聚兴. 红外, 2007(04)
- [7]InGaAs红外探测器器件与物理研究[D]. 郝国强. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）, 2006(02)
- [8]红外技术与应用XXX（SPIE Vol.5406）[J]. 高国龙. 红外, 2005(11)
- [9]微透镜阵列的设计、制作及与CCD的集成技术[D]. 柯才军. 华中科技大学, 2005(05)
- [10]陆地卫星仪器的三十年(下)[J]. AramM.Mika,高国龙. 红外, 1998(07)