一、类金刚石薄膜对多孔硅发光的钝化作用（论文文献综述）
赵明龙[1]（2020）在《金属基板AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的制备及性质》文中研究说明GaN电力电子器件具有更高的工作电压、更高的开关频率、更低的导通电阻等优势,在新一代高效率小尺寸的电力转换与管理系统、电动机车、新能源汽车等领域具有巨大的研究意义和应用前景,已成为各国争相研究的重点。目前,市场上成熟的GaN器件多以蓝宝石或者SiC材料为衬底,相比较之下,Si衬底具有价格低廉、晶体质量高、尺寸大以及工艺条件成熟等优点,使得高质量Si基GaN材料和器件备受关注。但是GaN与Si之间存在17%的晶格失配及56%的热失配,因此外延结构中存在很大的失配应力,而且器件工作过程中易导致热量积聚,致使GaN器件输出功率密度以及效率等性能迅速恶化,甚至造成器件失效。由于自热效应使得GaN HEMT理论上的高输出功率能力远远没有发挥出来,散热己经成为限制GaN微波功率器件技术进一步发展应用的重要难题。目前国际上多采用将Si衬底GaN基器件通过bonding工艺转移至高散热金刚石衬底和Al N陶瓷衬底等来解决其散热问题,由于HEMT器件电极结构集中于外延表面,大面积bonding工艺对温度、压力要求导致背面bonding工艺难度很大,成品率很低。在此背景下,本论文基于衬底转移技术,成功地将GaN HEMT器件从Si衬底上剥离并转移到散热性能良好的Cu金属基板上,并对其表面形貌、应力情况、电学特性和热学特性进行了深入研究。得到的主要结果如下:（1）本论文针对金属基板AlGaN/GaN HEMT对器件制备工艺的高要求,对光刻、电极制备、刻蚀、钝化以及衬底转移等工艺进行了深入研究,自主研发了一套完整而稳定的器件制备流程。更重要的是本文还研究了不同腐蚀液对Si的腐蚀效果,并通过优化腐蚀液配比及温度实现了大面积Si衬底的高效快速移除,成功获得了无损伤的微米级GaN外延薄膜。（2）本论文采用酸性光亮镀铜工艺来制备金属基板,通过对工艺条件的优化以及应力分布的分析,获得了光亮性、均匀性、平坦性良好的Cu金属基板,并将金属基板与AlGaN/GaN HEMT器件完美结合。此外,还对图形化金属基板进行了探索。（3）本论文对于衬底转移前后器件的结构性能、电学性能和热学性能进行了深入研究。AFM测试结果表明,衬底转移过程没有对外延材料造成损伤。拉曼测试表明了金属基板上HEMT器件中的应力得到了有效的释放。通过对两种衬底HEMT器件的输出曲线和转移曲线对比,发现在没有制备有效热沉的情况下,Cu基板HEMT的直流特性与Si基HEMT器件基本相当。我们采用瞬态红外设备测量了两种基板HEMT器件上的热量分布情况。通过热反射图像可以清楚地观察到,与Si衬底相比,HEMT器件在Cu衬底上的热扩散性明显更好。我们又制备了不同厚度铜衬底器件并做了显微红外温度测试。在同一电压下,当Cu衬底厚度从28μm增加到35μm时,HEMT器件的输出功率更高,而表面温度反而更低。这说明随着厚度的增加,铜衬底的散热能力也越来越强。这表明基于电镀工艺的Cu基板HEMT在高温高频的工作环境中具有巨大的应用潜力。
曾彦玮[2]（2020）在《在模拟质子交换膜燃料电池环境下铝合金双极板耐蚀性能研究》文中进行了进一步梳理在模拟质子交换膜燃料电池环境下铝合金双极板耐蚀性能研究在质子交换膜燃料电池（PEMFC）双极板材料当中铝合金相比于不锈钢、石墨和钛合金等材料具有应用广、密度小、强度高、质轻、广泛的应用领域等优点。在质子交换膜燃料电池环境下金属表面仍然容易受到F-、H+、SO42-等腐蚀性离子侵蚀。因此,需要对铝合金表面进行处理从而提高耐蚀性和稳定性。为了解决铝合金在强酸（富氧）条件下的腐蚀问题和稳定性,本文主要采用了以阳极氧化法为基础,在铝合金表面构建多孔结构,再结合其他物理和化学等方法在铝合金表面构建复合膜层,从而达到对铝合金在富氧强酸条件下的耐蚀性:1.采用阳极氧化法在铝合金表面构建蜂窝状的多孔结构,通过涂覆法在多孔的铝合金表面制备聚丙烯腈（PAN）和掺杂氧化石墨烯的聚丙烯腈（PAN-GO）的复合膜层。利用扫描电子显微镜（SEM）、原子力显微镜（AFM）、X射线光电子能谱（XPS）等表征手段对该膜层进行了表面形貌和成分分析。通过对处理过后的铝合金进行电化学测试,结果表明,与未经处理的铝合金相比聚丙烯腈膜层在富氧强酸（0.5 M H2SO4+2 ppm HF）条件下,腐蚀电位正移141m V,腐蚀电流密度从1.341×10-4 A·cm-2降低到4.868×10-8 A·cm-2,下降了4个数量级,保护效率高达99.96%。通过添加氧化石墨烯（GO）,有利地改善了膜层电阻和在模拟液中稳定性,经过在0.5 M H2SO4+2 ppm HF和富氧中浸泡5天后,复合膜层对基底的保护效率仍然高达90%以上,说明该复合膜对铝合金防腐性能具有较优异的稳定性。通过SEM、AFM分析,表面的多孔结构有利于聚丙烯腈溶液的渗入,从而加强了了聚丙烯腈和基底的结合力。同时由于聚丙烯腈和氧化石墨烯对腐蚀性离子的物理阻隔作用,增强了改性过后的铝合金在酸性溶液的耐蚀性。2.采用阳极氧化法在铝合金表面构建蜂窝状的多孔结构,在多孔的铝合金表面制备耐蚀性很好的碳-氮化硼复合膜。利用扫描电子显微镜（SEM）等表征手段对该膜层进行了表面形貌和成分分析。通过对改性过后的铝合金进行电化学测试,结果表明,与未经处理的铝合金和碳涂层的铝合金相比复合膜层的铝合金在强酸（0.5 M H2SO4+2 ppm HF）条件下,腐蚀电流密度从1.341×10-4 A·cm-2（空白铝合金）和5.370×10-5 A·cm-2（碳层铝合金）下降到2.466×10-8 A·cm-2,下降了3-4个数量级,复合膜层对基底的保护效率高达99.98%。同时,复合膜层经过在模拟液中长达五天时间的浸泡,仍然具有很好的防腐性。通过SEM观察到改性过后的铝合金浸泡五天,表面涂层仍然对铝合金具有保护作用,这主要是由于氮化硼的层状结构阻挡了腐蚀性离子的侵蚀。3.采用阳极氧化法在铝合金表面构建蜂窝状的多孔结构,利用水热法在多孔的铝合金表面上原位合成还原氧化石墨烯-二氧化锡复合涂层。利用扫描电子显微镜（SEM）、X射线衍射仪（XRD）等表征手段对该膜层进行了表面形貌和成分分析。通过有涂层的铝合金进行电化学测试,结果表明,与未经处理的铝合金相比,还原氧化石墨烯-二氧化锡复合涂层在富氧强酸（0.5 M H2SO4+2 ppm HF）条件下,样品的腐蚀电流密度下降2-3个数量级,传荷电阻提高4个数量级,复合膜层对基底的保护效率高达99%以上,说明该复合膜对铝合金具有优异的防腐性能。经过XRD表征,在阳极氧化后的铝合金表面成功合成二氧化锡,从而达到对铝合金表面起到保护作用。
李幼真[3]（2011）在《纳米Ta基阻挡层的制备及性能研究》文中提出随着集成电路集成度的不断提高及特征尺寸的持续减小,研发低电阻率金属导线和低介电常数介质组成的新型金属互连体系以取代传统的A1互连体系成为必然的选择。Cu由于其低的电阻率、高的抗电迁移能力及相对低廉的价格,成为替代Al互连线的首选。但Cu在硅中的快速扩散,与Si在低温下反应形成高阻的Cu-Si化合物以及与介质粘附性较差等问题,制约了它的应用。在Cu金属线表面包覆一层既能有效阻止Cu扩散又能提高Cu与Si衬底间粘附性的阻挡层是解决这一问题的关键。低电阻率、高热稳定性和化学稳定性、与Cu和Si不反应等是阻挡层应具备的基本属性。在综述了国内外对阻挡层材料的研究成果的基础上,本文采用磁控反应共溅射技术,以氮气为反应气体,氩气为工作气体,优化了Ta基薄膜的制备工艺并原位制备了相应的Cu/阻挡层/衬底结构,对样品的热稳定性、结构特性及阻挡性能进行了研究,成功制备了性能优异的三元非晶阻挡层并研究了阻挡层的失效机制。本文首先对Ta、Ta-N薄膜及其双层薄膜的溅射工艺参数、阻挡性能进行了研究,得到了优化的工艺参数。研究表明,Ta靶溅射功率高于200W时,薄膜因应力大而容易起皱脱落,Ta膜表面电阻随溅射功率增大而减小,表面粗糙度则随之增大。600℃/300s快速热处理后,Cu/Ta/Si体系表面电阻急剧增大,并出现了TaSi2及Cu3Si相,表明阻挡层已经失效,热处理后Ta晶粒的长大导致了Cu原子的快速扩散。在Ta薄膜中加入N可促进非晶/纳米晶的形成,同时也抑制了Ta-N/Si界面间的反应,提高了薄膜的热稳定性能和阻挡能力,且Ta-N的热稳定性随着N含量的增加而增加,但其表面电阻也随之增加,其对Cu的阻挡失效机制同Ta膜相似,Cu原子通过热处理后的晶界扩散导致了其阻挡能力的丧失。对Ta/Ta-N双层膜的研究表明,合适工艺条件下制备的Ta/Ta-N双层膜可综合Ta的低电阻率、与Cu膜良好的粘附性以及Ta-N膜的高热稳定性的优点,是理想的阻挡层结构。研究还发现,在Ta基阻挡层薄膜表面溅射制备的Cu膜均有较明显的{111}择优取向,这对于提高Cu导线的抗电迁移能力是有利的。在优化Ta-N制备工艺的基础上,在国内率先设计制备了三元非晶的Ta-Si-N薄膜；对不同Si靶溅射功率和N流量比制备的Ta-Si-N薄膜进行了详细研究。研究发现,Si的掺入可有效抑制Ta的氮化物结晶,随着Si含量的增加,Si-N增多,提高了薄膜的非晶化程度和表面电阻,同时,N的加入也可抑制Ta的硅化物结晶,相图分析表明薄膜由Ta-Si、Ta-N、Si-N组成,多种相和键结构之间的竞争和相互作用促使了薄膜的非晶化。薄膜的阻挡性能同薄膜的组分比有关,Si原子组分比对三元非晶Ta-Si-N薄膜的热稳定性和阻挡性能有较大影响,Si原子组分比较高时,阻挡层失效时其本身并未显着晶化,此时较多的Si原子增大了原子间隙,Cu原子主要通过薄膜中的原子间隙及缺陷扩散；Si原子组分比较小时,阻挡层的失效则发生在其晶化之后,Cu原子主要通过热处理后形成的晶界及缺陷扩散。综合分析认为,100nm厚的Ta、Si、N原子组分比约为5：3：2的Ta-Si-N阻挡层在750℃/300s热处理后仍可保持对Cu原子的有效阻挡,有望成为未来新一代集成电路理想的阻挡层材料。制备了掺Al的三元Ta-A1-N薄膜并首次将其作为Cu扩散阻挡层进行了研究。研究发现,沉积态的薄膜为非晶态,随着Al含量的增加,薄膜表面电阻显着增大,粗糙度逐步降低。薄膜中Al原子百分含量为1.7at%（Al靶溅射功率为100W）的100nm厚样品,其晶化温度很高,在800℃/300s热处理后仍可保持稳定并保持对Cu的有效阻挡,继续提高热处理温度,900℃/300s热处理后,阻挡层晶化并失效,研究表明其失效仍与阻挡层晶化后的晶界等有关；而薄膜中A1原子百分含量为5.5at%（Al靶溅射功率为150W）的样品,在较低温度热处理后,薄膜表面即出现圆形突起,而高温热处理后圆形突起被破坏并直接导致了阻挡层的失效。合理选择制备参数、严格控制薄膜中Al的含量,可获得热稳定性高,阻挡性能优良的Ta-A1-N扩散阻挡层。对Ta基阻挡层的Cu扩散阻挡机制研究表明,晶界扩散是其失效的主要原因,其扩散规律符合哈里森B类扩散动力学模型,扩散系数可根据Fisher和Whipple晶界扩散模型得到；Si的加入可促使Ta-Si-N薄膜非晶化,提高其阻挡性能,Si的含量对其阻挡性能及失效机制有较大影响；Al原子的加入同样有利于Ta-A1-N薄膜非晶化,同时由于表面A1的钝化效应而使阻挡层受到保护,提高了其热稳定性和阻挡性能,但过量的A1则易导致阻挡层热处理后形成突起并失效。
李东方[4]（2009）在《复合型尖锥场发射阵列制备工艺研究》文中进行了进一步梳理场致发射阵列阴极是真空微电子器件的核心部件,因其具有体积小、功耗低、响应速度快、抗辐射、工作温度范围宽等优点,在场发射平板显示器件、微波器件和传感器等领域有着重要的应用前景。论文采用新型的阴极发射体材料和独特的制备工艺,研制出一种Mo-LaB6复合型场发射阵列阴极。该阴极的优点在于:利用LaB6逸出功低、熔点高、电导率高、抗离子轰击能力强等特点及钼良好的金属性和稳定性,将二者结合起来作为发射体材料,从而有效提高了现有场发射阴极的发射电流密度和发射稳定性。论文首先对Mo-LaB6复合型场发射阵列的制备工艺进行研究,共采取了两种方案:台阶型和敷膜型。二者的制备方法类似,均包括光刻、氧化、刻蚀、栅极溅射和发射体材料沉积。台阶型是先在硅基底上沉积200nm的钼台阶,然后再沉积LaB6尖锥;覆膜型是先形成钼尖锥,再在钼锥表面沉积LaB6薄膜做发射体。论文对这两种制备方案中的工艺参数进行了详细讨论,最终获得了发射体形貌良好的Mo-LaB6复合型场发射阵列。其次,论文还对Mo-LaB6复合型场发射阵列制备过程中出现的失效性现象进行了研究,主要包括栅极的脱落、阴极和阳极的氧化、微毛刺现象、尖锥的脱落和膜料成分的变化。针对这些失效性现象,论文提出了可能的解决方法,包括退火工艺、氢化处理工艺和老炼工艺。将处理前后的阴极进行测试比较,结果表明,栅极脱落问题得到了有效解决,且阴极开启电压有所降低。这些失效性研究将为制作优良场发射阵列奠定良好的基础。论文最后对制备的Mo-LaB6复合型场发射阵列阴极进行封装和测试。封装工艺主要包括装配、排气、除气、封接和激活吸气剂等步骤。在测试前先对器件进行老炼,消除尖锥表面的毛刺和微凸起,测试电路是在Spindt基础上进行改进的。最后对结果进行分析,通过对试验结果的分析,表明了复合型场发射阵列的可行性。
王向宁[5]（2008）在《纳米薄膜非平衡热导率的理论与实验研究》文中进行了进一步梳理在MEMS和微电子器件中,由于加工工艺和材料本身的光、热、声、机、电等特性,各种金属、非金属薄膜被广泛使用。随着科学技术地不断进步以及电子器械的微型化进展,纳米薄膜的传热研究已成为当前科学研究的热点。以往对薄膜材料热传导的研究都是建立在平衡条件基础上的。在实际的纳米薄膜热传导中声子的平均自由程大于薄膜的结构尺寸,这不满足平衡热传导的条件,因此研究薄膜的非平衡热导率有着重要的意义。由于薄膜的非平衡热导率的理论求解过程非常复杂,结果受到的影响因素众多,准确度低。因此本文采用实验的方法对纳米薄膜的热导率进行测量。比较了四种常用薄膜热导率测量方法的优缺点,由于3ω是瞬态电加热法,测量值也是瞬间完成而不是一个持久稳态的过程,因此可用来测量纳米薄膜的非平衡热导率。为确保实验样品的质量,用PECVD方法制备了SiO2薄膜和Si3 N 4薄膜。首先测量SiO2薄膜的热导率,对自行搭建的3ω实验台进行了检测。之后用3ω实验方法对Si3 N 4纳米薄膜进行了热导率的测量,分别测量了不同频率下、不同温度下Si3 N 4薄膜的热导率,以及不同加热器尺寸的加热膜的热导率。最后确定了测量Si3 N 4薄膜热导率的最佳微加热器尺寸及适合频率段。理论和实验结果表明,薄膜的热导率具有极度非平衡性,薄膜热导率的非平衡性与声子的平均自由程有重要联系。Si3 N 4薄膜的热导率随温度的升高而增大,微加热器的尺寸在20μm和24μm时,实验结果最佳,同时样品的微结构品质及微加热器的材质对实验结果有重要影响。
郑越[6]（2007）在《SiC/ZnO纳米颗粒薄膜的微观结构及其光致发光性能》文中研究表明在发光器件领域,SiC被认为是替代Si的理想材料,SiC量子点由于量子限制效应而导致的独特光电性能倍受人们的青睐。本文采用交替磁控溅射和后续在N2的保护下进行退火处理的方法制备了SiC量子点分散在ZnO基体中的半导体纳米颗粒膜,系统研究了不同溅射工艺和退火温度、时间对SiC/ZnO纳米颗粒膜微观结构和光致发光性能的影响。根据XRD分析,在750℃以下退火,ZnO基体的结晶性能随着退火温度的提高而得到改善并具有明显的c轴取向,当退火温度升高到800℃以上时,ZnO基体的结晶性能变坏,这可能是由于在高温下退火SiC与ZnO界面的相互作用所致。ZnO/SiC/ZnO多层膜样品在600℃退火时,较薄的SiC层会团聚形成SiC非晶纳米团簇分布在ZnO基体中,当退火温度升高到850℃时,部分SiC非晶纳米团簇会转变成β-SiC纳米晶,根据FTIR分析,SiC纳米颗粒表面会被氧化形成一层SiOx （x<2）或SiO2,SiC量子点的形核与长大是以扩散型控制为主的成长过程,即Si,C原子会在降低总能量的驱动下在内部缺陷位置处通过迁移、扩散聚合到一起,形成三维岛状结构。对样品在不同温度下退火进行PL分析发现,样品的发光强度总体随着温度的升高而增大,样品主要有三个发光峰:发光峰在381nm（3.3eV）处为较强的紫外发射,这是由于ZnO的自由激子跃迁造成;在465nm （2.7eV）处为强的蓝光发射可能与Si-O相关的缺陷形成的发光中心有关,而位于550nm（2.3eV）附近的弱绿光发射可能来自Zn空位、O空位所导致的深能级复合发光。
贺英[7]（2006）在《一维氧化锌纳米结构自组装及性能研究》文中认为一维ZnO纳米材料以其新颖的物理、化学和生物学特性以及在纳米器件中的潜在用途成为当今纳米技术的研究热点。而一维纳米结构ZnO材料大规模、低成本和简单有效的合成与组装无论从基础研究的角度来说，还是从性能与应用的角度来看，都有着重要的意义。本文全面综述了国内外在一维ZnO纳米结构材料的制备、性能及应用方面的研究进展，开展了一维ZnO纳米结构材料自组装合成技术、表征、形成机理、动力学和应用探索等方面的研究工作，探讨了一维ZnO纳米结构材料的光学性能和光催化性能，得到了如下研究结果：1．探索出一种能在各种晶面的硅衬底上自组装取向生长ZnO纳米线的新方法。该方法提出了采用离子络合转换机理来制备ZnO纳米微晶的研究思想，建立了聚合物网络骨架控制ZnO纳米点成核和ZnO纳米线生长的新的ZnO纳米结构自组装生长模型——聚合物网络限域模型。该模型主要基于络合共价作用驱动ZnO／高分子（如PVA）自组装过程的假定，以PVA等均聚极性高分子作为配位体并充当自组装载体，通过高分子-金属配位络合反应，将构晶离子(Zn2+)结合在高分子侧链上；而当高分子（PVA）浓度达到亚浓溶液状态时，高分子链相互穿插交叠形成网眼均匀的高分子交联网络，因而具有了限制与之作用的纳米微粒尺寸和分布的网络限域效应。在ZnO晶体的极性生长特性和聚合物网络限域效应的双重作用下，可制得分布均匀、尺寸均一、定向性好的ZnO纳米线。此技术成功地克服了以往气相法定向生长中通常要求ZnO晶体晶面须与衬底表面匹配的限制，使得纳米线的生长对衬底不具有选择性，同时还可以实现在低温环境下的制备。2．利用离子络合转换机理和聚合物网络限域生长模型，分别采用高分子络合—气相生长法、高分子络合—溶液生长法和高分子络合—烧结法等三种自组装合成方法，在半导体硅衬底上自组装出了分布均匀、粒度单一性好的取向生长ZnO纳米线／棒等一维纳米结构材料。ZnO纳米线／棒的直径约为20～150 nm，长度为0.5～6μm，具有六方纤锌矿晶体结构，沿[0001]方向取向生长，其晶体质量与当前文献报道的最佳结果相当。3．分析研究了所制备ZnO纳米结构材料的尺寸、形貌、排列间距和晶体质量的控制影响因素。研究发现，ZnO纳米结构的自组装生长是由其极性生长特征和高分子网络骨架限域模型决定的，各种生长条件对ZnO纳米结构的影响主要是通过控制ZnO形核和生长基元[Zn（OH）4]2-在先驱体溶液中的比例来实现的。采用不同的络合材料会影响ZnO纳米结构的形貌，利用PVA、PAM等高分子材料作为络合剂可以得到均匀直径的ZnO纳米线，而利用氨水、柠檬酸钠（TSC）和六亚甲基四胺（HMTA）等小分子材料作为络合剂，则分别得到ZnO纳米花、ZnO纳米片和棒槌状ZnO纳米棒；调节所用高分子亚浓溶液浓度，可控制ZnO纳米材料的粒径和分布；控制适度弱碱性的络合溶液pH值有利于ZnO纳米结构沿[0001]取向生长，在弱碱性溶液中易得到长柱状ZnO纳米线，而在强碱性溶液中易形成短的ZnO纳米棒以至颗粒。此外，分析比较了高分子络合法三种工艺对ZnO晶体形貌的影响，发现采用高分子络合—溶液生长法和高分子络合—烧结法得到的ZnO纳米线柱面光滑均匀，且高分子络合—烧结法制备的纳米线端面更平滑并呈现明显六角柱形结构；而采用高分子络合—气相生长法制得的纳米线呈现不等径生长的层（台阶）状结构，并应用晶体生长界面运动学和界面动力学理论解释了ZnO纳米结构晶体表面台阶的成因。4．研究了一维ZnO纳米结构的光致发光性能、紫外吸收性能和光催化性能。典型的ZnO纳米线室温下在325 nm激发光下的光致发光谱主要有两个峰：一个是383nm附近的近带边强紫外发射峰，半高宽为30.82 nm，另一个是445 nm处较弱的蓝光发射峰或506 nm处的弱绿光发射峰。紫外发射峰与ZnO的带间跃迁相关，主要来自ZnO材料中电子和空穴的直接复合，而蓝-绿光发射峰可能由ZnO中的氧空位或锌填隙等结构缺陷引起。所制备的样品晶体完整性较高，其光学性能与当前文献报道的最佳结果相当。同ZnO体材料（紫外吸收峰373 nm）相比，所制备的一维ZnO纳米结构材料的紫外吸收峰在～360 nm处，蓝移了～13 nm；且其紫外光吸收性能与粒径大小有关，随着ZnO粒径的减小，紫外吸收峰出现蓝移，呈现出室温量子尺寸效应。一维ZnO纳米结构材料在太阳光的照射下对染料甲基红具有较好的光催化降解作用，在光照120 min后，对甲基红的降解率几乎可达100％。一维ZnO纳米结构较好的光催化性能，使其能够直接利用太阳光和普通光源来净化环境，降解有毒有机物。5．采用差示扫描量热法（DSC）测试了高分子络合—烧结法制备ZnO纳米线的结晶曲线，对其结晶动力学进行了研究，推导出结晶动力学方程为：1-Xt=exp(-7.475×10-2t1.9)；并利用热重（TG）测试结果，通过热分解反应，导出了反应动力学方程：da／dT=3.76×1023／φe-21340.8／T（1-α）2.8，从而得到了化学反应速度随时间、浓度和温度变化的关系。6．采用ZnO纳米线／棒作为阴极发射体制作了纳米ZnO场发射器件，考察了其电子场发射性能。研究表明，这种ZnO纳米结构具有优良的场发射性能，在开启电场为2.2 V·μm-1时，可测到10μA·cm-2的发射电流密度，接近目前有关ZnO纳米结构场发射报道的最佳结果，可应用于场发射纳米光电子器件。7．采用纳米改性涂料技术，首次制备了掺杂ZnO纳米线／棒的苯丙乳胶漆改性涂料，研究了掺杂量对改性性能的影响。结果表明，这种由纳米ZnO改性的涂料具有良好的耐水性、耐碱性、耐洗刷性和硬度，尤其在杀菌防霉性能方面有所提高，比未掺杂前抗菌性提高21.2％。当苯丙涂料中纳米ZnO的添加量为单体质量的0.06％时，纳米功能性苯丙涂料的耐水性可提高40.3％、耐碱性可提高32.6％、耐洗刷性可提高18.3％、涂料硬度可提高47.2％，使涂料综合性能达到最佳。
杨亚军[8]（2006）在《多孔硅电致发光特性研究》文中研究说明单晶硅是现代半导体器件集成电路和微电子学领域中最主要的材料,制备硅基发光材料,实现硅基上的光电集成,成为人们梦寐以求的事情,但是由于单晶硅的禁带宽度为1.12eV,且为间接带隙材料,在室温下是不能有效发光的,从而限制了它在光电子器件中的应用。1990年,Canham发现了多孔硅（PS）在室温下发射相当强的可见光。多孔硅的发光打破了硅作为间接带隙材料难于实现高效率发光的禁锢,从此,改变了硅材料不能用于光电子领域的传统观念,展示了硅在光电集成中的诱人前景。从应用器件角度来看,电致发光将比光致发光更受人重视。 本文制备得到多孔硅液态接触型电致发光器件,研究了其电致发光特性;制备得到结构为ITO/PS/p-Si/Al的多孔硅异质结电致发光器件,在7.5V较低电压下实现了数小时连续电致发光,研究了该器件的电致发光性质,分析了多孔硅制备条件对其电致发光的影响:采用热氧化法以及使用（NH4）2S钝化多孔硅,研究了这两种多孔硅钝化方法对其电致发光特性的影响。 第一章是关于多孔硅应用研究的综述部分。论述了多孔硅研究的现状和应用前景,对多孔硅光致发光和电致发光以及多孔硅钝化等方面的研究进行了总结。 第二章是关于多孔硅液态接触型电致发光特性研究。介绍了液态下两种不同的多孔硅电致发光载流子注入机制,采用电化学腐蚀的方法制备得到多孔硅样品,将多孔硅样品置入1 mol·L-1的NaCl溶液中进行二次阳极氧化,观察到了强烈的电致发光现象,对其发光机理进行了论述。 第三章是关于多孔硅异质结电致发光器件发光特性研究。使用电子束蒸发镀膜设备在硅片非抛光面上镀铝作为背部电极,然后采用阳极氧化法制备得到多孔硅,最后采用脉冲激光沉积法在多孔硅表面沉积ITO薄膜作为表面电极,制得结构为ITO/PS/p-Si/Al的多孔硅异质结电致发光器件,在7.5V电压下实现了该器件数小时连续电致发光,研究了其电致发光性质,分析了器件的载流子注入机制,分析了多孔硅制备条件对其电致发光特性的影响。 第四章是关于后处理对多孔硅电致发光特性的影响。为了提高多孔硅电
范轶敏,居建华,张伟丽,夏义本,王志明,方志军,王林军[9]（2002）在《类金刚石薄膜对多孔硅发光的钝化作用》文中研究表明介绍了类金刚石薄膜对多孔硅发光的钝化作用．类金刚石薄膜隔绝了外界对多孔硅表面的影响,使硅氢键不易断裂,从而减少了非辐射复合中心,稳定了多孔硅的发光性能．通过在类金刚石薄膜中掺氮还可以进一步提高钝化效果,因为氮使多孔硅表面更多的悬空键被钝化形成Ｓｉ—Ｎ键,从而提高了发光强度．
李涵秋[10]（1994）在《多孔硅发光研究动态》文中研究指明本文系统介绍了多孔硅发光的光谱特性、结构和组分、发光机理、制备手段和形成机理、分析手段、应用前景和相关课题等研究动态。
二、类金刚石薄膜对多孔硅发光的钝化作用（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、类金刚石薄膜对多孔硅发光的钝化作用（论文提纲范文）
（1）金属基板AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的制备及性质（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管研究背景和意义 |
| 1.3 本论文的内容及结构 |
| 第2章 AlGaN/GaN HEMT材料与器件介绍 |
| 2.1 氮化物材料的基本物理性质 |
| 2.1.1 晶体结构和基本物理参数 |
| 2.1.2 GaN材料的能带结构 |
| 2.2 氮化物材料的极化效应 |
| 2.2.1 氮化物材料中的自发极化 |
| 2.2.2 氮化物材料中的压电极化 |
| 2.3 AlGaN/GaN异质结结构中的二维电子气 |
| 2.4 AlGaN/GaN HEMT基本原理 |
| 2.4.1 AlGaN/GaN HEMT基本结构和工作原理 |
| 2.4.2 AlGaN/GaN HEMT的主要性能参数 |
| 2.5 高散热衬底AlGaN/GaN HEMT器件发展 |
| 2.6 本章小结 |
| 第3章 金属基板AlGaN/GaN HEMT外延生长及器件制备 |
| 3.1 AlGaN/GaN HEMT外延生长 |
| 3.1.1 AlGaN/GaN HEMT生长设备介绍 |
| 3.1.2 AlGaN/GaN HEMT外延结构设计及材料生长 |
| 3.2 AlGaN/GaN HEMT器件制备 |
| 3.2.1 AlGaN/GaN HEMT器件制备工艺流程 |
| 3.2.2 AlGaN/GaN HEMT器件制备关键工艺 |
| 3.3 金属基板AlGaN/GaN HEMT器件制备 |
| 3.3.1 金属基板AlGaN/GaN HEMT器件制备工艺流程 |
| 3.3.2 高效无损伤Si衬底的快速移除 |
| 3.3.2.1 湿法腐蚀溶液的选择 |
| 3.3.2.2 临时粘接剂的选择 |
| 3.3.2.3 腐蚀温度的优化 |
| 3.3.3 电镀工艺介绍 |
| 3.3.4 金属基板的制备与散热性能计算 |
| 3.3.5 图形化金属基板制备 |
| 3.4 本章小结 |
| 第4章 金属基板AlGaN/GaN HEMT器件的特性 |
| 4.1 金属基板AlGaN/GaN HEMT表面形貌 |
| 4.2 金属基板AlGaN/GaN HEMT器件应力分析 |
| 4.3 金属基板AlGaN/GaN HEMT器件直流特性 |
| 4.3.1 Si衬底AlGaN/GaN HEMT器件直流特性 |
| 4.3.2 金属基板AlGaN/GaN HEMT器件直流特性 |
| 4.4 金属基板AlGaN/GaN HEMT器件热学特性 |
| 4.4.1 金属基板AlGaN/GaN HEMT器件不同输出功率下热学特性研究 |
| 4.4.2 不同厚度金属基板AlGaN/GaN HEMT器件热学特性研究 |
| 4.5 本章小结 |
| 第5章 总结 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 作者简历及攻读学位期间发表的学术论文与研究成果 |
（2）在模拟质子交换膜燃料电池环境下铝合金双极板耐蚀性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 质子交换膜燃料电池 |
| 1.3 双极板 |
| 1.3.1 非金属双极板 |
| 1.3.2 聚合物双极板 |
| 1.3.3 金属双极板 |
| 1.4 铝和铝合金 |
| 1.4.1 铝和铝合金性质和应用 |
| 1.4.2 铝合金表面改性方法 |
| 1.4.2.1 自组装法 |
| 1.4.2.2 气相沉积 |
| 1.4.2.3 电沉积法 |
| 1.4.2.4 转化膜法 |
| 1.4.2.5 阳极氧化法 |
| 1.4.2.6 微弧氧化法 |
| 1.5 研究内容及意义 |
| 参考文献 |
| 第二章 实验 |
| 2.1 实验试剂 |
| 2.2 实验设备和仪器 |
| 2.3 表征方法 |
| 2.3.1 表面形貌和成分分析 |
| 2.3.1.1 扫描电子显微镜 |
| 2.3.1.2 拉曼光谱 |
| 2.3.1.3 原子力显微镜 |
| 2.3.1.4 X射线衍射仪 |
| 2.3.1.5 傅里叶变换红外光谱 |
| 2.3.2.6 X射线光电子能谱 |
| 2.3.2 电化学分析 |
| 参考文献 |
| 第三章 铝合金表面聚丙烯腈-氧化石墨烯复合膜层的制备及耐蚀性研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验方法 |
| 3.2.1 蜂窝状铝合金的制备 |
| 3.2.2 聚丙烯腈和聚丙烯腈-氧化石墨烯复合薄膜的制备 |
| 3.2.3 表征方法 |
| 3.2.4 电化学分析 |
| 3.3 实验结果与讨论 |
| 3.3.1 涂层表面形貌分析 |
| 3.3.2 AFM分析 |
| 3.3.3 表面化学成分分析 |
| 3.3.4 膜层电化学分析 |
| 3.3.5 复合涂层的腐蚀防护机理 |
| 3.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第四章 铝合金双极板表面碳-氮化硼复合膜层的制备及耐蚀性研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验方法 |
| 4.2.1 蜂窝状铝合金的制备 |
| 4.2.2 氮化硼纳米片的制备 |
| 4.2.3 碳-氮化硼复合膜层的制备 |
| 4.2.4 表征方法 |
| 4.2.5 电化学分析 |
| 4.3 实验结果与讨论 |
| 4.3.1 涂层表面形貌分析 |
| 4.3.2 膜层电化学分析 |
| 4.3.2.1 壳聚糖浓度的影响 |
| 4.3.2.2 氮化硼的影响 |
| 4.3.3 膜层稳定性分析 |
| 4.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第五章 铝合金表面还原氧化石墨烯-二氧化锡膜层的制备及耐蚀性研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 实验方法 |
| 5.2.1 蜂窝状铝合金的制备 |
| 5.2.2 石墨烯-二氧化锡复合膜层的制备 |
| 5.2.3 表征方法 |
| 5.2.4 电化学分析 |
| 5.3 实验结果与讨论 |
| 5.3.1 表面形貌 |
| 5.3.2 化学成分分析 |
| 5.3.3 电化学分析 |
| 5.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第六章 总结与展望 |
| 6.1 总结 |
| 6.2 展望 |
| 致谢 |
| 作者参与的科研项目 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 |
（3）纳米Ta基阻挡层的制备及性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 集成电路中的互连工艺 |
| 1.1.1 集成电路发展概述 |
| 1.1.2 集成电路中互连工艺的发展及挑战 |
| 1.2 互连工艺现状 |
| 1.2.1 Al互连的不足及Cu互连的优势 |
| 1.2.2 Cu互连工艺存在的问题 |
| 1.2.3 Cu/阻挡层/低K介质体系研究现状 |
| 1.3 扩散阻挡层 |
| 1.3.1 阻挡层的性能要求 |
| 1.3.2 扩散阻挡层的分类 |
| 1.3.3 阻挡层材料的制备 |
| 1.3.4 阻挡层薄膜的国内外最新研究进展 |
| 1.3.4.1 难熔金属阻挡层 |
| 1.3.4.2 难熔金属化合物及其复合结构 |
| 1.3.4.3 三元结构阻挡层 |
| 1.4 本论文的研究意义和目的 |
| 1.5 本论文的主要研究内容 |
| 第二章 磁控反应共溅射镀膜技术及薄膜表征方法 |
| 2.1 溅射的一般规律 |
| 2.2 磁控溅射 |
| 2.3 TXZ500-I磁控溅射镀膜机简介 |
| 2.4 磁控反应共溅射薄膜制备技术 |
| 2.5 薄膜的热处理技术 |
| 2.6 薄膜表征 |
| 2.6.1 薄膜厚度的测量 |
| 2.6.2 方块电阻的测量 |
| 2.5.3 表面形貌的表征 |
| 2.6.4 成分分析 |
| 2.6.5 薄膜的组织结构表征 |
| 2.7 本章小结 |
| 第三章 Ta/Ta-N薄膜的制备及结构特性研究 |
| 3.1 Ta的基本性质 |
| 3.2 Ta靶溅射功率的选择 |
| 3.3 Ta薄膜的热稳定性 |
| 3.4 Ta-N薄膜的制备 |
| 3.4.1 N流量比对Ta-N沉积速率的影响 |
| 3.4.2 N流量比对Ta-N方块电阻及粗糙度的影响 |
| 3.5 Ta/Ta-N复合阻挡层 |
| 3.6 本章小结 |
| 第四章 Ta/Ta-N薄膜的阻挡性能及其扩散失效 |
| 4.1 薄膜扩散理论 |
| 4.1.1 多晶薄膜扩散动力学 |
| 4.1.2 晶界扩散的特性 |
| 4.1.3 晶界扩散的理论模型 |
| 4.2 Cu在Ta、Ta-N中的扩散分析 |
| 4.3 Cu/Ta/Si体系的热退火规律 |
| 4.4 Cu/Ta-N/Si体系的热处理 |
| 4.5 Cu/Ta-Ta-N/Si的热处理规律 |
| 4.6 Ta基阻挡层失效机制分析 |
| 4.7 本章小结 |
| 第五章 Ta-Si-N阻挡层的制备及其结构特性 |
| 5.1 Ta-Si-N三元阻挡层的设计及制备 |
| 5.1.1 Ta-Si-N阻挡层的制备 |
| 5.1.2 Ta-Si-N薄膜的沉积速率 |
| 5.2 沉积态Ta-Si-N的性能研究 |
| 5.2.1 Ta-Si-N的组分比及表面形貌 |
| 5.2.2 Ta-Si-N薄膜的电学特性 |
| 5.2.3 Ta-Si-N的热稳定性 |
| 5.3 Ta-Si-N的相图 |
| 5.4 Ta-Si-N的阻挡性能 |
| 5.5 Cu在Ta-Si-N中的扩散失效机制 |
| 5.6 Cu/阻挡层扩散热动力学分析 |
| 5.7 本章小结 |
| 第六章 掺Al对Ta-Al-N三元阻挡层的影响 |
| 6.1 三元阻挡层元素选择的考量及Ta-Al-N的制备 |
| 6.2 Ta-Al-N薄膜结构及特性 |
| 6.2.1 Al含量对Ta-Al-N薄膜特性的影响 |
| 6.2.2 Ta-Al-N的化学键组分 |
| 6.2.3 Ta-Al-N薄膜的热稳定性及表面形貌 |
| 6.2.4 Ta-Al-N薄膜的微结构及热稳定性 |
| 6.3 Ta-Al-N的阻挡特性 |
| 6.3.1 Cu/Ta-Al(100W)-N/Si的XRD实验 |
| 6.3.2 Cu/Ta-Al(100W)-N/Si的表面形貌 |
| 6.3.3 Cu/Ta-Al-N/Si体系的AES深度分析 |
| 6.3.4 Ta-Al-N表面的圆形突起 |
| 6.4 Cu/Ta-Al-N/Si体系失效机制分析 |
| 6.5 本章小结 |
| 第七章 结论与展望 |
| 7.1 结论 |
| 7.2 展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 攻读学位期间的主要研究成果 |
（4）复合型尖锥场发射阵列制备工艺研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 场发射技术的发展历史与现状 |
| 1.2 场发射阵列阴极的应用领域 |
| 1.2.1 场发射平板显示 |
| 1.2.2 高功率微波真空器件 |
| 1.2.3 场发射传感器 |
| 1.3 论文选题的目的和课题研究的意义 |
| 1.3.1 场发射阵列阴极研究现状 |
| 1.3.2 本课题研究目的和意义 |
| 1.4 论文主要研究的内容 |
| 第二章 场致发射的基本理论 |
| 2.1 场致发射的物理含义 |
| 2.2 场发射方程——福勒-诺德海姆公式 |
| 2.3 金属和半导体接触理论 |
| 2.4 复合型场发射阴极选材料标准 |
| 2.5 场发射阵列评价参数 |
| 2.6 本章小结 |
| 第三章 复合型场发射阵列阴极的制备 |
| 3.1 材料的选用 |
| 3.1.1 LaB_6 材料的物理和化学特性 |
| 3.1.2 钼材料的物理和化学特性 |
| 3.2 复合型场发射阵列的结构 |
| 3.3 复合型场发射阵列的制作工艺——敷膜型 |
| 3.3.1 硅片的清洗 |
| 3.3.2 绝缘层氧化工艺 |
| 3.3.3 栅极薄膜的制作工艺 |
| 3.3.4 光刻掩膜板的设计 |
| 3.3.5 牺牲层工艺 |
| 3.3.6 刻蚀工艺 |
| 3.3.7 钼尖锥阵列制备工艺 |
| 3.3.8 钼尖锥沉积六硼化镧薄膜工艺 |
| 3.4 复合型场发射阵列的制作工艺——台阶型 |
| 3.4.1 钼台阶型制备 |
| 3.4.2 六硼化镧尖锥的沉积 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 复合型场发射阵列后处理工艺 |
| 4.1 常见的失效性研究 |
| 4.1.1 栅极脱落 |
| 4.1.2 阴极和阳极的氧化 |
| 4.1.3 尖锥的脱落 |
| 4.1.4 尖锥表面的微毛刺和凸起 |
| 4.1.5 薄膜成分的变化含氧量 |
| 4.2 场发射阵列的后处理工艺 |
| 4.2.1 退火工艺 |
| 4.2.2 氢化处理工艺 |
| 4.3 本章小结 |
| 第五章 复合型场发射阵列阴极的测试 |
| 5.1 三极管测试支架的制作 |
| 5.2 阵列阴极的测试 |
| 5.2.1 老炼工艺 |
| 5.2.2 阵列阴极的测试 |
| 5.2.3 试验的结果分析 |
| 5.3 本章小结 |
| 第六章 场发射总结和展望 |
| 6.1 本文的工作总结 |
| 6.2 下一步工作展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 个人简介 |
| 硕士研究生期间发表的论文 |
（5）纳米薄膜非平衡热导率的理论与实验研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 1 绪论 |
| 1.1 课题背景 |
| 1.2 纳米薄膜综述 |
| 1.2.1 纳米薄膜分类 |
| 1.2.2 纳米薄膜的制备方法 |
| 1.2.3 纳米薄膜的特性及应用 |
| 1.3 国内外研究进展 |
| 1.3.1 薄膜热传导 |
| 1.3.2 非平衡态薄膜热传导 |
| 1.4 课题研究内容及意义 |
| 1.4.1 研究内容 |
| 1.4.2 课题意义 |
| 2 纳米薄膜结构的非平衡热传导理论 |
| 2.1 纳米粒子周围的非平衡热传导 |
| 2.1.1 纳米粒子热通量 |
| 2.1.2 纳米粒子等效热导率 |
| 2.2 声子在纳米结构中的传输 |
| 2.2.1 界面的声子非平衡运输 |
| 2.2.2 纳米薄膜的非平衡传热 |
| 2.3 本章小结 |
| 3 热导率实验方案 |
| 3.1 实验方法选择 |
| 3.1.1 稳态光加热法 |
| 3.1.2 瞬态光加热法 |
| 3.1.3 稳态电加热法 |
| 3.1.4 瞬态电加热法 |
| 3.2 3ω方法实验原理 |
| 3.3 样品标准及加热器的选择 |
| 3.3.1 实验样品的选择标准 |
| 3.3.2 微加热器材料的选择 |
| 3.3.3 微加热器的制作 |
| 3.5 实验台搭建要求 |
| 3.6 实验台的标定 |
| 3.6.1 SiO_2 薄膜制备 |
| 3.6.2 测试 |
| 3.7 本章小结 |
| 4 Si_3N_4薄膜非平衡热导率实验 |
| 4.1 选材原因 |
| 4.2 Si_3N_4 薄膜性能及应用 |
| 4.2.1 光学性能及应用 |
| 4.2.2 钝化性能及应用 |
| 4.2.3 其它性能及应用 |
| 4.3 Si_3N_4 薄膜制备 |
| 4.3.1 实验设备 |
| 4.3.2 制备过程 |
| 4.3.3 性能检测 |
| 4.4 实验样品加工 |
| 4.5 实验 |
| 4.5.1 实验步骤 |
| 4.5.2 低频段实验 |
| 4.5.3 高频段实验 |
| 4.6 本章小结 |
| 5. 结果分析 |
| 5.1 导热系数与温度的关系 |
| 5.2 热导率与频率的关系 |
| 5.3 热导率与加热器尺寸关系 |
| 5.3.1 无限窄线热源加热半无限大样品 |
| 5.3.2 有限宽线热源加热半无限大样品 |
| 5.4 热导率与声子平均自由程的关系 |
| 5.5 误差分析 |
| 5.5.1 随机误差 |
| 5.5.2 系统误差 |
| 5.5.3 黑体辐射对结果影响 |
| 5.5.4 热导率的尺寸效应影响 |
| 5.6 本章小结 |
| 6 结论与展望 |
| 6.1 结论 |
| 6.2 展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 |
（6）SiC/ZnO纳米颗粒薄膜的微观结构及其光致发光性能（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 半导体量子点的研究现状 |
| 1.2.1 半导体量子点的研究意义 |
| 1.2.2 SiC 量子点的研究进展 |
| 1.2.3 半导体量子点的发光机理 |
| 1.2.4 半导体量子点的形成机理 |
| 1.3 半导体量子点/基体-纳米颗粒薄膜材料概述 |
| 1.3.1 半导体量子点/基体-纳米颗粒薄膜的研究意义 |
| 1.3.2 半导体量子点/基体-半导体纳米颗粒薄膜的制备方法 |
| 1.4 基体材料的选用 |
| 1.4.1 基体材料的概述 |
| 1.4.2 ZnO 基体材料的性能 |
| 1.5 选题依据与创新点 |
| 1.6 本论文的研究内容和目的 |
| 第二章 样品制备及分析方法 |
| 2.1 实验材料 |
| 2.2 样品制备 |
| 2.2.1 ZnO/SiC/ZnO 三明治结构多层膜的制备方案 |
| 2.2.2 ZnO 薄膜样品的制备 |
| 2.3 样品退火 |
| 2.4 样品的分析方法 |
| 2.4.1 光致发光测试（PL） |
| 2.4.2 微观结构观察（TEM） |
| 2.4.3 结晶相分析（XRD） |
| 2.4.4 表面键分析（FTIR） |
| 第三章 SiC/ZnO 纳米颗粒薄膜的结构表征 |
| 3.1 薄膜物相-XRD 分析 |
| 3.2 薄膜微观结构-TEM 分析 |
| 3.3 薄膜的FTIR 分析 |
| 3.4 SiC 纳米颗粒的形成机理分析 |
| 3.5 本章小节 |
| 第四章 SiC/ZnO 纳米颗粒膜的光致发光性能 |
| 4.1 退火对SiC/ZnO 纳米颗粒膜微观结构及发光性能影响 |
| 4.1.1 退火温度对SiC/ZnO 纳米颗粒膜发光性能的影响 |
| 4.1.2 退火温度对纯ZnO 薄膜发光性能的影响 |
| 4.1.3 退火时间对SiC/ZnO 纳米颗粒膜微观结构及发光性能的影响 |
| 4.2 膜厚对SiC/ZnO 纳米颗粒膜微观结构及发光性能的影响 |
| 4.3 本章小结 |
| 第五章 结论 |
| 5.1 主要结论 |
| 5.2 想法与建议 |
| 参考文献 |
| 发表论文和参加科研情况说明 |
| 致谢 |
（7）一维氧化锌纳米结构自组装及性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究纳米 ZnO的意义 |
| 1.2 纳米 ZnO的基本性能 |
| 1.3 国内外研究概况 |
| 1.3.1 一维ZnO纳米结构材料的制备 |
| 1.3.1.1 气相生长法 |
| 1.3.1.2 液相生长法 |
| 1.3.1.3 自组装法 |
| 1.3.2 一维 ZnO纳米结构材料的应用 |
| 1.3.2.1 纳米激光器 |
| 1.3.2.2 纳米场效应晶体管 |
| 1.3.2.3 纳米传感器 |
| 1.3.2.4 其它应用 |
| 1.4 课题来源 |
| 1.5 课题研究的目的和依据 |
| 1.6 研究的主要内容 |
| 第二章 一维 ZnO纳米结构自组装机理 |
| 2.1 高分子络合法的研究思想及其制备机理 |
| 2.1.1 高分子亚浓溶液提供的网络限域作用 |
| 2.1.2 高分子极性基团与过渡金属离子的络合 |
| 2.1.2.1 高分子-金属配位络合反应 |
| 2.1.2.2 络合能力比较 |
| 2.1.2.3 络合程度的确定 |
| 2.1.2.4 高分子配位体的选择 |
| 2.1.2.5 络合反应的影响因素 |
| 2.2 高分子络合法制备一维 ZnO纳米结构 |
| 2.2.1 Si衬底的表面处理 |
| 2.2.2 纳米 ZnO的成核机理 |
| 2.2.3 一维 ZnO纳米结构的生长 |
| 2.3 测试原理 |
| 2.3.1 场发射扫描电镜 |
| 2.3.2 透射电镜 |
| 2.3.3 原子力显微镜 |
| 2.3.4 X射线衍射仪 |
| 2.3.5 X射线能谱仪 |
| 2.3.6 拉曼光谱 |
| 2.3.7 红外光谱 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 一维 ZnO纳米结构自组装—高分子络合—气相生长法 |
| 3.1 实验部分 |
| 3.1.1 Zn(OH)_2纳米籽晶的形成 |
| 3.1.2 纳米籽晶在气相中生长为ZnO纳米棒 |
| 3.2 结果与讨论 |
| 3.2.1 ZnO纳米材料的结构形貌 |
| 3.2.2 衬底温度对 ZnO纳米结构形貌的影响 |
| 3.2.3 退火温度对 ZnO纳米结构完整性的影响 |
| 3.3 高分子络合—气相生长法自组装一维ZnO纳米结构机理 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 一维 ZnO纳米结构自组装—高分子络合—溶液生长法 |
| 4.1 实验部分 |
| 4.2 结果与讨论 |
| 4.2.1 ZnO纳米材料的结构形貌 |
| 4.2.2 高分子链长度对ZnO纳米结构形貌的影响 |
| 4.2.3 高分子材料对 ZnO纳米晶生长过程的影响 |
| 4.2.4 溶液pH值对 ZnO纳米结构形貌的影响 |
| 4.3 高分子络合—溶液生长法自组装一维ZnO纳米结构机理 |
| 4.3.1 ZnO纳米晶在溶液中的成核机理 |
| 4.3.2 ZnO纳米晶的生长界面模型 |
| 4.3.3 ZnO纳米晶在溶液中的生长机理 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 一维 ZnO纳米结构自组装—高分子络合—烧结法 |
| 5.1 实验部分 |
| 5.2 结果与讨论 |
| 5.2.1 ZnO纳米材料的结构形貌 |
| 5.2.2 烧结气氛对 ZnO纳米结构形貌的影响 |
| 5.2.3 烧结温度对 ZnO纳米结构形貌的影响 |
| 5.3 高分子络合—烧结法自组装一维ZnO纳米结构机理 |
| 5.3.1 ZnO纳米结构生长机理研究 |
| 5.3.2 聚合物网络骨架对 ZnO纳米线生长的限域作用 |
| 5.4 本章小结 |
| 第六章 一维 ZnO纳米结构自组装工艺的影响因素 |
| 6.1 络合材料对 ZnO纳米结构的影响 |
| 6.1.1 采用甲壳素为自组装介质 |
| 6.1.2 采用聚丙烯酸为自组装介质 |
| 6.1.3 采用聚乙烯醇为自组装介质 |
| 6.1.4 采用聚丙烯酰胺为自组装介质 |
| 6.1.5 采用其它小分子材料为自组装介质 |
| 6.2 络合工艺参数对 ZnO纳米结构的影响 |
| 6.2.1 高分子溶液浓度的影响 |
| 6.2.2 络合配比的影响 |
| 6.2.3 络合温度和时间的影响 |
| 6.2.4 溶液pH值的影响 |
| 6.3 晶体生长工艺路线对 ZnO纳米结构的影响 |
| 6.4 本章小结 |
| 第七章 ZnO纳米线的光学性能研究 |
| 7.1 纳米 ZnO的光致发光性能 |
| 7.1.1 纳米 ZnO光致发光原理 |
| 7.1.2 纳米 ZnO光致发光性能 |
| 7.1.3 生长条件对纳米ZnO发光性能的影响 |
| 7.1.3.1 烧结温度对纳米ZnO发光性能的影响 |
| 7.1.3.2 烧结气氛对纳米ZnO发光性能的影响 |
| 7.1.3.3 退火温度对纳米ZnO发光性能的影响 |
| 7.2 纳米ZnO的紫外吸收性能 |
| 7.2.1 紫外吸收原理 |
| 7.2.2 纳米ZnO紫外吸收性能研究 |
| 7.2.3 粒径对纳米 ZnO紫外吸收性能的影响 |
| 7.3 纳米ZnO的光催化性能 |
| 7.3.1 纳米ZnO光催化实验 |
| 7.3.2 光催化机理 |
| 7.4 本章小结 |
| 第八章 ZnO纳米结构自组装动力学研究初探 |
| 8.1 ZnO纳米结构材料的结晶动力学 |
| 8.1.1 结晶动力学实验原理 |
| 8.1.2 结晶动力学分析 |
| 8.2 ZnO纳米结构材料的生成动力学 |
| 8.2.1 热分解反应动力学实验原理 |
| 8.2.2 热分解反应动力学分析 |
| 8.3 本章小结 |
| 第九章 ZnO纳米结构材料的应用探索 |
| 9.1 纳米ZnO在场发射器件中的应用 |
| 9.1.1 场发射的基本原理 |
| 9.1.2 纳米ZnO场发射器件及性能研究 |
| 9.2 纳米ZnO在乳胶漆中的应用 |
| 9.2.1 纳米ZnO改性苯丙涂料的制备 |
| 9.2.2 纳米ZnO改性苯丙涂料的性能 |
| 9.3 本章小结 |
| 第十章 结论与展望 |
| 10.1 结论 |
| 10.2 展望 |
| 参考文献 |
| 攻读博士学位期间公开发表的论文 |
| 攻读博士学位期间所承担的研究项目 |
| 致谢 |
（8）多孔硅电致发光特性研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 多孔硅应用研究综述 |
| §1.1 多孔硅发光材料的研究背景和意义 |
| §1.2 多孔硅的研究现状 |
| 1.2.1 多孔硅制备方法、微结构和形成机理 |
| 1.2.2 多孔硅发光机理 |
| 1.2.3 多孔硅的光致发光和电致发光 |
| 1.2.4 多孔硅表面钝化技术 |
| 1.2.5 多孔硅复合体系发光 |
| §1.3 多孔硅应用前景 |
| 第二章 多孔硅液态接触型电致发光特性研究 |
| §2.1 发光机理 |
| §2.2 实验样品的制备 |
| §2.3 多孔硅液态接触下的电致发光特性研究 |
| 第三章 多孔硅异质结电致发光器件发光特性研究 |
| §3.1 发光机理 |
| §3.2 实验样品的制备与测量 |
| 3.2.1 Al电极的制备 |
| 3.2.2 多孔硅的制备 |
| 3.2.3 ITO透明电极的制备 |
| §3.3 多孔硅异质结电致发光器件发光特性研究 |
| §3.4 多孔硅异质结电致发光器件Ⅰ-Ⅴ特性研究 |
| §3.5 多孔硅制备条件对其电致发光特性的影响 |
| 3.5.1 电流密度对多孔硅电致发光谱的影响 |
| 3.5.2 腐蚀时间对多孔硅电致发光谱的影响 |
| 3.5.3 电解液浓度对多孔硅电致发光谱的影响 |
| 第四章 后处理对多孔硅电致发光特性的影响 |
| §4.1 热氧化法提高多孔硅电致发光强度研究 |
| §4.2 (NH_4)_2S钝化多孔硅电致发光研究 |
| 第五章 总结 |
| 参考文献 |
| 在校期间的研究成果及发表的学术论文 |
| 致谢 |
四、类金刚石薄膜对多孔硅发光的钝化作用（论文参考文献）
- [1]金属基板AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的制备及性质[D]. 赵明龙. 中国科学院大学(中国科学院物理研究所), 2020(01)
- [2]在模拟质子交换膜燃料电池环境下铝合金双极板耐蚀性能研究[D]. 曾彦玮. 上海电力大学, 2020(01)
- [3]纳米Ta基阻挡层的制备及性能研究[D]. 李幼真. 中南大学, 2011(12)
- [4]复合型尖锥场发射阵列制备工艺研究[D]. 李东方. 电子科技大学, 2009(11)
- [5]纳米薄膜非平衡热导率的理论与实验研究[D]. 王向宁. 青岛科技大学, 2008(05)
- [6]SiC/ZnO纳米颗粒薄膜的微观结构及其光致发光性能[D]. 郑越. 天津大学, 2007(04)
- [7]一维氧化锌纳米结构自组装及性能研究[D]. 贺英. 上海大学, 2006(04)
- [8]多孔硅电致发光特性研究[D]. 杨亚军. 曲阜师范大学, 2006(09)
- [9]类金刚石薄膜对多孔硅发光的钝化作用[J]. 范轶敏,居建华,张伟丽,夏义本,王志明,方志军,王林军. 红外与毫米波学报, 2002(S1)
- [10]多孔硅发光研究动态[J]. 李涵秋. 光电子技术, 1994(02)