一、工业生产中静电的产生及其防护（论文文献综述）
王学明[1]（2019）在《PVDF纳米纤维的结构调控及其防护性能研究》文中指出随着人们越来越关注有害固体颗粒对健康的危害,许多应用领域对功能性防护纺织品的需求日益增加,尤其是石油、化工、医疗等可能接触危险化学品的职业,必须给予现场作业人员有效的保护。纳米纤维网对颗粒物有着良好的阻隔功能,在防护领域有着很好的应用前景。本文针对纳米纤维的力学性能差,透气性能不足和功能性单一等问题,基于溶液喷射纺丝法开展了对PVDF纳米纤维结构调控的研究,制备了具有功能性的防护材料。针对纳米纤维网力学性能差的缺点,通过在PVDF的纺丝液中加入交联剂（TMPTA）和光引发剂（TPO）,实现了对PVDF纳米纤维力学性能的调控,利用溶液喷射法设计制备了交联聚偏氟乙烯（PVDF）纳米纤维网。研究表明TMPTA的加入可明显提升纳米纤维网力学性能,相比于纯的PVDF纤维网,其拉伸断裂强度增加44.1%,断裂伸长率增加88.6%。对粒径大于230nm颗粒物过滤效率达到100%,过滤阻力仅为320Pa,透气性可以达到32.42 L/m2·s,透湿性可以达到211.7 g/m2·h,表现出良好对颗粒物阻隔防护性能。针对纳米纤维网透气性能差的缺点,通过在PVDF的纺丝液中混入PS聚合物,利用静电辅助溶液喷射技术纺丝,实现了对PVDF纳米纤维的形貌调控,制备了形貌良好的串珠状纳米纤维。研究表明当PVDF和PS质量分数都为7%时,所制备纳米纤维的串珠结构形貌最佳,纤维网有良好的透气性能,可达到37.76L/m2·s,同时纳米尺寸低凹的表面可以吸附气体分子,相当于在宏观表面上有一层稳定的气体薄膜,具有较好的拒水性能,接触角可高达132.6°。作为防护材料表现出很好的透气性能,为穿着防护服的作业人员提供舒适性。为了赋予纳米纤维网环境响应性能,通过在PVDF和PS的纺丝液中加入二甲基亚砜和溴甲酚紫（BCP）显色剂,利用静电辅助溶液喷射方法设计制备了具有氨气响应的多孔串珠纳米纤维。利用扫描电镜和BET测试,定性和定量地分析了串珠纤维的孔径分布。研究表明当BCP含量为0.3%时,响应范围较宽,响应灵敏度也较高,可以响应环境中100ppb含量的氨气。可为作业在氨气行业的工作人员提供很好的预警作用,有着潜在的应用前景。
卢晨[2]（2021）在《熔喷非织造材料静电驻极方法研究及水驻极机理探索》文中研究指明新冠疫情以来,口罩的需求量和关注度达到了前所未有的高度。口罩的核心功能层是位于芯层的熔喷非织造材料,为了提高其过滤效率并保持低的吸气阻力,常采用静电驻极的方法使其带电。但由于我国熔喷非织造行业起步较晚,且发展缓慢,相关的论文研究较少。疫情初期,各类企业纷纷转型生产熔喷非织造材料,但由于熔喷技术壁垒较高、专业人员严重缺失,熔喷非织造材料的质量参差不齐。随着国家防疫物资储备过剩及国内疫情形势的好转,企业为了占据更大的市场,开始将目光投向水驻极技术,引入水驻极生产设备,但由于目前国内外没有关于水驻极技术的详细报道,加上水驻极母粒市场鱼龙混杂,并未发挥出水驻极技术的最大潜力。因此有必要对水驻极机理进行初步研究,为技术发展和企业生产提供理论基础。为了实现熔喷非织造材料“高效低阻”的目标,本文首先从静电驻极母粒着手,在熔喷非织造材料中加入不同类型的静电驻极母粒,通过对熔喷非织造材料过滤性能的对比分析,对母粒进行优选。进一步通过对驻极母粒进行元素分析、红外光谱和DSC测试,认为优选母粒是一种复配型驻极体,且与熔喷聚丙烯树脂有良好的工艺适配性。进一步地,在不同的热风速度、DCD距离和驻极电压下制备熔喷非织造材料,优化生产工艺。通过对熔喷非织造材料结构性能的分析得出:（1）热风速度主要是通过改变纤维直径及不匀率来影响材料的过滤性能,随着热风速度的增大,纤维直径和不匀率都减小,从而导致材料孔径减小,过滤效率和过滤阻力增大;（2）随着DCD距离的增大,纤维直径和不匀率减小,但同时由于热黏结减少,孔径增大,使熔喷非织造材料的滤阻和滤效变小;（3）静电驻极熔喷非织造材料表面静电势正负随机分布,随着驻极电压增大,静电势变大,且上下两面间的电势差也增大,过滤效率随之提高。但由于存在电荷饱和电压击穿的问题,应根据实际情况和成本要求调整电压大小。根据上述结果确定实验最佳工艺参数分别为:热风速度为900rpm,DCD距离为200mm,驻极电压为50k V。其次,通过对卷材内外层材料过滤性能和拉伸断裂性能的对比分析,探究熔喷非织造卷材内层过滤阻力高于外层的原因,并提出如下解决方案:（1）合理控制卷材直径,适时调节卷绕张力,避免内层材料发生明显变形;（2）增设冷却装置,使材料在成卷前恢复室温,减少卷材内部由于散热不充分导致的后结晶。最后,采用模拟水驻极设备对熔喷非织造材料进行水驻极处理,通过对水质、驻极母粒成分及效果、驻极前后纤维表面成分和静电势的研究,对水驻极机理进行初步研究,得出如下结论:（1）随着水电导率的增加,材料的过滤效率下降;（2）只有添加了水驻极母粒的熔喷非织造材料可以在驻极后实现高过滤效率;（3）基于驻极后纤维表面元素和静电势的实验结果,初步推断水驻极摩擦生电的机理是电子转移和离子转移,但以电子转移为主;（4）通过对水驻极和静电驻极熔喷非织造材料进行TSD测试,认为水驻极材料的电荷量和电荷稳定性均高于静电驻极材料。
宋文强[3]（2020）在《集成电路ESD静电防护设计及闩锁免疫研究》文中研究说明随着集成电路工艺的进步,CMOS集成电路规模不断缩小以在同一区域封装更多的晶体管来提高运行速度和性能,栅极氧化物尺寸也被缩小以增加晶体管的电流密度,这使得集成电路芯片愈发脆弱,ESD静电放电造成的电子产品失效日渐显着,严重恶化芯片的可靠性。因此,集成电路的ESD防护问题也越发受到国内外产业界和学术界的重视,越来越多的产业界和学术界的研究人员投入到集成电路的ESD防护设计领域进行了深入研究,ESD静电防护也已经成为了半导体行业新的研究热点。本文的主要研究方向是ESD防护设计中的抗闩锁研究。文中介绍了ESD防护的相关基本理论和设计难点,基于多种不同的工艺制程及工作电压完成了ESD保护器件的抗闩锁设计,满足了相关应用领域的防护设计要求。本文的主要工作和创新点总结如下:（1）针对先进工艺中常用到的LVTSCR维持电压较低的问题,提出了一种具有低触发电压和高维持电压的MLVTSCR器件。通过将LVTSCR的跨接N+区域分割,并在其中嵌入P+区域,可以有效提升MLVTSCR器件的维持电压。其次,通过在NLVTSCR中引入PLVTSCR器件,构成了另一种新型ILVTSCR。通过在器件中引入一条新的电流泄放路径,实现了对ILVTSCR维持电压的提升。最后,提出一种新型的纵向双极结晶体管（BJT）触发硅控整流器（VBTSCR）。在基区浮空的纵向NPN晶体管的帮助下,新的硅控整流器（SCR）结构在相同的布局下,比先前的增强型横向硅控整流器（EMLSCR）获得更低的触发电压和更好的箝位能力。上述三种新型ESD器件相比传统的ESD防护器件,更适用于低压ESD防护工程。（2）针对中高压常用的MLSCR器件进行了一系列优化工作。首先,提出了一种嵌入NMOSFET的新型高维持电压硅控整流器（HHSCR）。通过将NMOSFET嵌入在改进的横向硅控整流器（MLSCR）的P阱中构建HHSCR,具有紧凑的布局,可以在较小的面积内提供较高的鲁棒性。其次,针对MLSCR的失效电流随维持电压上升而下降的问题,提出了一种增强型栅控二极管触发硅控整流器（EGDTSCR）,具有显着改善的维持电压和失效电流。通过在传统的MLSCR器件中添加两个栅控二极管,EGDTSCR在提供更高的维持电压的同时,还可有效提高器件的ESD鲁棒性。最后,针对RS232的系统级ESD防护,设计了片上TVS来保护RS232的I/O端口。片上TVS由IHBSCR实现,具有高维持电压和几乎无snapback特性,维持电流远高于最大I/O工作电流。通过嵌入两个p+/DNW/n+二极管到传统的双向DMLSCR,借助于表面P+/DNW/N+二极管路径的辅助泄放,IHBSCR具有极高的维持电压（几乎无回滞）和优越的鲁棒性,能够更有效地预防闩锁效应的发生。（3）基于高压BCD工艺中常见的闩锁问题,提出了几种新型的改进结构,有效提高了高压ESD器件的抗闩锁能力。首先,针对LMDOS-SCR的低维持电压,提出了一种P+浮空的新型ESD保护器件MLDMOS-SCR。通过将阳极P+浮空,并在源极插入一个额外的P+区域,形成RC电路降低触发和一个浮空的PIN二极管来提高维持电压。其次,针对LDMOS-SCR的低维持电压提出了一种改进的横向双扩散MOS硅控整流器（ILDMOS-SCR）。通过在传统的LDMOS-SCR中嵌入一个栅控二极管,借助反向栅控PIN二极管通路的辅助泄放,ILDMOS-SCR可大幅提高维持电压以实现闩锁免疫。此外,通过增加器件宽度的方式有效解决了ILDMOS-SCR单指器件中出现的电流饱和效应,实现了极佳的ESD性能。最后,利用分割技术实现了一种高维持电压的SEG-LDMOS-DDSCR。通过将双向LDMOS-DDSCR的两边源极N+切割并嵌入P+块,降低了寄生NPN的发射极效率使β下降,同时插入的P+块形成了内嵌PIN二极管,有效的提高了SEG-LDMOS-DDSCR的维持电压,避免了高压应用中常见的闩锁效应的发生。
教育部[4]（2020）在《教育部关于印发普通高中课程方案和语文等学科课程标准（2017年版2020年修订）的通知》文中进行了进一步梳理教材[2020]3号各省、自治区、直辖市教育厅（教委）,新疆生产建设兵团教育局:为深入贯彻党的十九届四中全会精神和全国教育大会精神,落实立德树人根本任务,完善中小学课程体系,我部组织对普通高中课程方案和语文等学科课程标准（2017年版）进行了修订。普通高中课程方案以及思想政治、语文、
夏苗[5]（2020）在《核电厂某电子设备瞬态抗扰度分析及整改研究》文中研究指明目前我国安全级的核电设备需完成鉴定试验来验证工程样机指标是否达到要求,鉴定合格才能对核电厂进行供货。而电磁兼容试验是鉴定试验中重要的一项。由于目前存在对设备电磁兼容设计这一环节重视不够的现象,设备在电磁兼容试验后常需要专门进行整改。且瞬态抗扰度试验对问题设备的危害较大,常出现试验时设备内的元器件被烧毁的情况,增加了对设备进行抗扰度分析和整改的复杂度。因此针对核电厂电子设备的瞬态抗扰度分析及整改的全流程进行研究具有重要意义。本文主要完成的工作有:首先分析研究了瞬态干扰源的能量特性及瞬态干扰的耦合途径,并从使用及仿真的角度介绍了瞬态干扰抑制器件的选型及仿真模型,同时提到了规范使用瞬态干扰抑制器件的多级防护电路,搭建的电路设计及PCB设计的要点。然后针对目前关于电子设备瞬态抗扰度分析和整改措施系统性不强和不够全面这一现状,针对静电放电（ESD）瞬态抗扰度试验、电快速瞬变脉冲群（EFT）抗扰度试验、浪涌（SURGE）瞬态抗扰度试验这三种瞬态抗扰度试验,通过采用以问题为导向的原则,提出了问题自查和问题定位并重的观点,基于以问题为导向的思路,给出了更完备的电子设备瞬态抗扰度问题整改流程。本文提出的整改流程应用到解决核电厂某电子设备瞬态抗扰度问题,完成了设备基本信息收集、设备抗扰度及安规设计分析、提出电子设备瞬态抗扰度问题整改方案。并在整改阶段提出了浪涌防护与介电强度试验之间矛盾的解决方法,同时利用PSPICE仿真了浪涌试验中的发生器、耦合网络及防护器件组成的试验电路。可观察到防护电路在浪涌抗扰度试验中的防护效果,验证了防护电路的可靠性。实现了在设计阶段观察试验效果。本文提出的瞬态抗扰度问题整改流程应用于核电厂某电子设备,完成了整体的瞬态抗扰度问题整改,顺利通过瞬态抗扰度试验。
夏乾善[6]（2020）在《基于碳纳米管纸复合材料雷电防护结构的设计及性能表征》文中提出碳纳米管纸（Buckypaper,BP）,亦称为碳纳米管薄膜,其作为宏观的碳纳米管（Carbon Nanotube,CNT）材料,不但具有轻质、耐腐蚀及优异的导电性等特性,还具有碳纳米管粉末所不具备的易于操作及易于与树脂基材料复合等优点,因此,碳纳米管纸及其复合材料近年来备受科研人员的关注。据文献报道,由于柔性的碳纳米管纸及其复合材料具有诸多优异的特性,其在飞行器的雷电防护领域极具研究价值。本文为提高基于碳纳米管纸的防护结构的雷电防护性能,研究并制备了不同种类的改性碳纳米管纸及其复合材料,通过结构的优化设计,制备了一系列的基于碳纳米管纸的雷电防护复合材料,并验证了将其应用于雷电防护领域的可能性。本文采用碳纳米管悬浊液抽滤法所制备的碳纳米管纸,去除残余分散剂后,其电导率略有提高,使得其在Ku波段具有34.3-42.9 d B的电磁屏蔽效能。为提高碳纳米管纸的力学性能,向碳纳米管纸中引入聚丙烯腈（Polyacrylonitrile,PAN）静电纺丝纤维,制备出了碳纳米管/聚丙烯腈复合薄膜（CNT/PAN）,与碳纳米管纸相比,其力学性能在一定程度上有所提升。由于渗入了CNT的PAN层存在大量可消耗电磁波的界面,使得复合薄膜在Ku波段的电磁屏蔽效能达到63.7-65 d B。但其导电性能略有下降,无法满足雷电防护领域的需求。为提高碳纳米管纸的导电性能,本文还采用化学交联法制备了交联碳纳米管纸,所制备的交联碳纳米管纸的力学和导电性能相比于碳纳米管纸均有一定程度的提高。但其树脂浸润性较差,无法与树脂基复合材料形成稳定的雷电防护复合材料。为进一步提升碳纳米管纸的导电性能以满足雷电防护领域对高导电性材料的需求,设计采用电泳沉积法对碳纳米管纸的一侧进行表面银修饰,制备出了高导电性的银修饰碳纳米管纸（Silver Modified Buckypaper,SMBP）,其电导率高达5091.65 S/cm。此方法制备的改性碳纳米管纸中银含量较少,并依然具有轻质及多孔结构等特性,使得银修饰碳纳米管纸与树脂具有良好的结合性,有利于其与航空领域中常用的碳纤维增强环氧树脂基复合材料（Carbon Fiber Reinforced Polymer,CFRP）复合,以制备雷电防护复合材料。此复合材料具有高导电性、轻质、耐腐蚀及结构稳定等优点,在雷电防护领域具有极大的应用价值。研究结果表明,银修饰碳纳米管纸防护的复合材料雷击后的抗压强度保留率为90.75%,远高于无防护的复合材料（60.45%）,与面密度为73 g/m2的商用铜网（73gsm-Cu）防护材料的抗压强度保留率（89.7%）相近,但其减重量高达27.4%,而且银修饰碳纳米管纸防护的复合材料的非雷击面在雷击过程中的最高温度差与面密度为73 g/m2的铜网防护的复合材料相比降低了17.4 ℃。并通过表征分析对银修饰碳纳米管纸的导电防护机理进行了探究。证明了银修饰碳纳米管纸的引入可在一定程度上降低雷击电流对基体材料造成的损伤。在银修饰碳纳米管纸导电防护的基础上,再从热防护的角度对CFRP材料进行雷电防护。即在向基体材料表面引入高导电性银修饰碳纳米管纸的同时,又引入了具有热解耗热功能的碳纤维/酚醛树脂（Carbon Fiber/PhenolFormaldehyde,CF/PF）,从而形成复合雷电防护结构,通过两种防护层的协同作用可降低雷击能量对基体材料造成的损伤。实验结果表明,雷击后银修饰碳纳米管纸-碳纤维/酚醛树脂-碳纤维增强环氧树脂基复合材料（SMBP-CF/PF-CFRP）的抗压强度保留率高达97.25%,略高于面密度为142 g/m2的铜网/碳纤维增强环氧树脂基复合材料（96.1%）。且SMBP-CF/PF作为防护结构防护的复合材料在雷击过程中其非雷击面的最大温差为44.9 ℃,亦低于面密度为142 g/m2的铜网（142gsm-Cu）作为防护层的复合材料（51.1 ℃）。通过仿真模拟定性的研究了CF/PF防护层的雷电防护机理。由分析可知,CF/PF防护层的引入可在一定程度上降低雷击电流产生的焦耳热对基体材料造成的损伤。为进一步降低雷击能量对基体材料所造成的损伤,在SMBP-CF/PF复合防护结构的基础上,通过结构优化设计,又向复合材料中引入了氧化铝（Aluminium Oxide,Al2O3）作为隔热防护层,以阻隔雷击电流所产生的焦耳热向基体内部传递。通过真空热压法,制备了银修饰碳纳米管纸-碳纤维/酚醛树脂-氧化铝-碳纤维增强环氧树脂基复合材料（SMBP-CF/PF-Al2O3-CFRP）和银修饰碳纳米管纸-碳纤维/酚醛树脂-氧化铝/聚酰亚胺-碳纤维增强环氧树脂基复合材料（SMBPCF/PF-Al2O3/PI-CFRP）。并对此类雷电防护结构防护的复合材料进行了雷电防护性能的验证,实验结果表明,雷击后的SMBP-CF/PF-Al2O3-CFRP复合材料的抗压强度保留率最高,高达98.92%;雷击后SMBP-CF/PF-Al2O3/PI-CFRP复合材料的热防护效果最好,其非雷击面在雷击过程中的最大温度差仅为23.6 ℃。定性的研究了CF/PF-Al2O3雷电防护结构的防护机理。通过分析可知,Al2O3隔热功能层的引入可显着的降雷击电流产生的焦耳热对基体材料造成的损伤。本文针对基于碳纳米管纸的复合材料雷电防护结构的研究尚处于较为薄弱的现状,从导电防护和热防护的角度出发,研究了基于碳纳米管纸的复合雷电防护结构的相关制备方法,通过对其形貌及相关性能的表征与分析,探究了基于碳纳米管纸的复合材料雷电防护结构的防护机理。本文所得到的研究结果及结论可为未来的轻质雷电防护功能复合材料的研究提供思路。
秦琼[7]（2019）在《导电纤维对防静电过滤材料结构与性能影响的研究》文中认为静电对颗粒过滤与分离系统的危害极大,特别是在油/气分离、燃油过滤和可燃性粉尘空气过滤等过程中,但是,目前国内关于滤材的研究主要集中在过滤效率和使用寿命等方面,对于防静电滤材的研究尚属空白。因此,在保持滤材过滤性能稳定的基础上,实现其防静电性能具有极其重要的意义。本文以不同直径碳纤维和不锈钢纤维作为制备防静电滤材的重要原料,分别探究了其形态与其在滤材中的分布,以及其种类、用量和直径对滤材性能的影响,主要内容如下:1、首先,对6种导电纤维进行了形态和分散性分析,对比碳纤维和不锈钢纤维的微观形态,发现碳纤维大致呈较为规则的圆柱形,经过疏解处理后在滤材中仍呈挺直状态,而不锈钢纤维则为表面有明显凹槽的近似圆柱形,疏解后在滤材中明显弯曲。碳纤维的分散性能优于不锈钢纤维,将不锈钢纤维与玻璃棉混合经高剪切处理后,分散性明显改善。2、其次,制备了分别含6种导电纤维的滤材,探究导电纤维对滤材防静电性能的影响。结果表明,按照NV（单位体积导电纤维数量）分别在滤材中加入导电纤维时,可以看出,碳纤维滤材实现防静电性能时,6.9μm碳纤维的NV用量为5.80×1010根/m3,3.2μm碳纤维的NV用量为7.30×1010根/m3,直径为5.1μm、7.0μm、9.0μm、11.6μm的不锈钢纤维C、D、E和F的NV值分别为:8.69×1010根/m3、7.30×1010根/m3、5.80×1010根/m3、4.41×1010根/m3时,不锈钢纤维滤材可以实现防静电性能。并且选择直径接近的6.9μm的碳纤维A和7.0μm不锈钢纤维D制备得到的滤材的防静电性能稳定时,前者的电阻率小于后者。此外,纤维直径越细,滤材防静电性能的实现需要的导电纤维数量越多。3、然后,探究了导电纤维对滤材的结构和基本性能的影响。结果表明:在滤材中加入同样NV的直径为6.9μm的碳纤维和7.0μm的不锈钢纤维,碳纤维对防静电滤材的结构和基本性能没有显着影响,但含不锈钢纤维的滤材,随着不锈钢纤维的增加,厚度逐渐从467μm增加至512μm,透气度从100 mm/s增加至157 mm/s,平均孔径从3.7μm增加至5.7μm,在滤材中不锈钢纤维直径越大,对其结构和基本性能的影响越显着。4、最后,探究了导电纤维对滤材空气过滤性能和液体过滤性能的影响。加入碳纤维对滤材空气过滤性能的影响不显着,但加入不锈钢纤维后,滤材的过滤阻力、过滤效率和品质因子明显下降,且随着纤维直径的增加,对过滤性能的影响愈加明显;基于前面的实验结果,使用NV为5.80×1010根/m3的直径为6.9μm的碳纤维,经中试纸机生产滤材,并且加工成滤清器,进行液体过滤性能和防静电性能的测试,测得其对10μm（c）颗粒的过滤比为159.9,纳污容量为11.5 mg/cm2,电势为12 V,相比普通玻纤滤芯电势下降40%,防静电性能明显提高,满足实际应用要求。
曹慧娟[8]（2019）在《大气压等离子源输出电荷的检测方法与特性研究》文中提出大气压等离子源输出电荷的检测对电晕放电离子风与离子源研究具有重要意义。此外,气体夹杂粉尘携带电荷造成的静电放电,能够对武器装备、精密电子器件等造成严重损害。为防止气体静电放电造成的危害,通常需要将相关场所环境气体中的电荷密度控制在安全值以下,采用一定方法对环境气体中电荷量进行测量乃至实时监测显的尤为重要。本文建立了一种针对流动气体携带电荷的检测方法,该方法通过引入封闭管路与自制电荷收集器,收集流动气体所带电荷,利用高精度测量电路检测收集到的电荷,从而计算得出气体所带电荷密度。同时利用该方法测量不同条件下电晕放电离子风中电荷密度,研究结果如下:1.建立了一种针对流动气体携带电荷的检测方法,该方法的检测范围为0～10.7nC,测量误差为0.24%。该方法依据大气压等离子源输出电荷的流动特性和电场叠加特性,以及气体电荷检测及检测设备的特殊性和检测流程的特殊性等要求建立,探究影响该方法的测量因素,使其测量效果达到最佳。结果表明该方法能够准确检测管路中气体离子的电荷密度,为流动气体携带电荷提供了准确可靠的方法。2.利用流动气体携带电荷检测方法,研究了在管道中电晕放电离子风中所带电荷变化规律。针对激励电压、管路中气体流量以及气源种类等条件,分别研究了正、负电晕下所对应的电荷密度。当保持其他条件相同时,测得相应电荷密度随激励电压的增加而增加;正、负电晕下,当保持其他条件相同时,测得相应电荷密度随气流量的增大而减小;正、负电晕下,当保持其他条件相同时,改变电晕放电产生离子风的气源种类,测得相应电荷密度氩气最大,其次是氮气、氧气、空气。3.依据单电极电晕放电特性,建立了一种负离子产生装置,并利用气体电荷检测方法检测了负离子源中产生的负电荷数。在激励电压、总气流量一定的情况下,氧气中随氮气或氩气加入比例增大,测得相应的负电荷密度增多,臭氧浓度减少;保持总气流量相同,氧气与氮气或氩气比例一定的情况下,随激励电压增大,测得相应负电荷密度增多,臭氧浓度增大。但同一条件下,电离混合有氮气或氩气的氧气,测得负电荷密度要多于电离单一氧气测得负电荷密度,相应的臭氧浓度低于电离单一氧气时测得臭氧浓度。
许文婷[9]（2019）在《印制电路板的静电放电特性研究》文中研究说明静电放电（Electrostatic Discharge,ESD）是指具有不同静电电位的物体互相靠近或直接接触引起的电荷转移的现象。它是一种非常常见的电磁危害源,可以形成强电场、高电压、瞬时大电流,并且伴随有强烈的电磁辐射,形成ESD电磁脉冲。随着电子科技的迅猛发展,集成电路的集成度越来越高,其内部绝缘层的厚度越来越薄,电路布线之间的距离越来越小,击穿电压越来越低,电子设备更容易受到ESD产生的高电压和强电流的影响。本文从电磁场与电路相耦合的角度对印制电路板（Printed Circuit Board,PCB）的静电放电特性进行了研究。本文首先基于人体-金属模型利用CST（Computer Simulation Technology,CST）仿真软件建立了符合IEC61000-4-2电流标准的静电放电发生器模型。通过数值仿真与实验测试两种方法进行对比验证,证明了静电放电发生器模型的可靠性。接着本文利用电路设计软件设计了两个基础的PCB模型,同时结合CST微波工作室及CST PCB工作室场路协同建立了PCB静电放电的三维仿真模型。仿真结果表明,接触放电将会产生强电场、高电压和瞬时大电流,静电电流的传播路径主要是沿着电路布线路径传播或沿着器件边缘及管脚回路传播,静电放电对PCB的损坏主要集中在PCB的元器件的管脚、芯片及边缘处,且对包含放电点的VCC与GND之间的信号线上的元器件的影响最大。同时对目前研究的小尺寸PCB而言,不同的放电点位置对PCB板的放电电流和放电的传播规律影响不大。此外,还建立了以手机PCB为主体的静电放电仿真模型,研究静电放电对PCB上信号线的干扰问题。选取PCB上的两对关键差分信号线,设置端口监测差分信号线两端的感应电压、电流波形,同时观察静电电流在信号线上的传播路径,分析ESD对PCB上信号线的影响。在此基础上,选取一对差分信号线加入电压信号,监测差分信号线上的电压信号在静电放电的情况下传输到另一端的信号波形。从仿真结果可以看到,ESD对PCB上差分信号线的信号存在干扰,干扰的幅度可以达到信号幅值的约三分之一,同时存在信号延迟,ESD引起的干扰会造成信号失真从而引起电子系统的软失效问题。本文基于场路协同仿真建立了PCB板级的静电放电仿真平台,模拟PCB板静电放电的特性及ESD对PCB板上元器件与信号线的干扰,为电子产品PCB板级的ESD防护设计提供了指导。
张一超[10]（2019）在《基于0.35μm BCD工艺的ESD防护技术研究》文中研究指明在集成电路领域,随着工艺特征尺寸的不断缩小,芯片可靠性问题已经成为制约集成电路发展的瓶颈之一。而在众多失效原因中,由静电放电（ESD）引起的失效占比最大。集成电路制造、测试、运输和使用过程中都有可能产生静电放电现象使得芯片损毁,因此对静电放电产生原因和对应防护措施的研究是芯片设计环节中不可或缺的一环。在摩尔定律的驱动下,芯片变得越来越智能化、高速化和系统化,应用环境的多样化给芯片可靠性要求提出了新挑战,片上ESD防护已经成为集成电路设计领域的难点和重点之一。论文介绍了ESD等效测试模式和测试方法,对基础ESD防护器件的机理进行简要分析。针对栅接地NMOS（GGNMOS）的不均匀导通特性,以栅串联电阻、单根沟道宽度和叉指个数为变量,设计了多组GGNMOS器件进行对比;针对可控硅整流器（SCR）具有的高触发电压,抗闩锁能力差等特点,将增加助触发单元来降低触发电压的方法与外加电阻提高维持电流的方法结合实现了高维持电流的PMOS助触发SCR结构,对助触发结构进行调整可满足不同端口的防护要求;针对SCR无法耐负压的缺点,设计了双向SCR（DDSCR）结构,并通过改变击穿面和增加寄生三极管基极宽度实现了低触发电压和高维持电压的小回滞DDSCR结构,通过堆叠SCR方法使其满足24V器件的ESD设计窗口要求。基于华虹0.35μm BCD工艺进行了流片验证,研究了相关防护器件的ESD特性。传输线脉冲（TLP）测试结果表明,栅串联电阻能有效改变GGNMOS的触发电压,GGNMOS器件的单根沟道宽度的合理取值应该在20μm到50μm内,叉指数取值应该和单根沟道宽度互相权衡;低压触发SCR结构的触发电压为12.22V但维持电压仅2.92V,一组PMOS助触发SCR结构具有低触发电压(Vt1=11.21V)、高维持电流（Ih=0.69A）和放电能力强(It2=12.10A)等优点且满足5V器件的ESD设计窗口要求,三组PMOS串联助触发结构满足24V器件的ESD设计窗口要求,助触发PMOS经版图参数调整后提高了整体结构的失效电流,但失效电压也有大幅度上升;改进型DDSCR结构的触发电压为18.57V,失效电流大于15A,增大寄生三极管基区宽度使维持电压从4.05V提升至17.60V,但鲁棒性下降且触发电压增加,两组回滞电压仅为3.51V的小回滞DDSCR结构堆叠后触发电压为33.54V,维持电压高达27.02V,满足24V器件的ESD设计窗口。
二、工业生产中静电的产生及其防护（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、工业生产中静电的产生及其防护（论文提纲范文）
（1）PVDF纳米纤维的结构调控及其防护性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究背景 |
| 1.1.1 化学防护服分类及特点 |
| 1.1.2 化学防护服的进展 |
| 1.2 纳米纤维制备方法及研究进展 |
| 1.3 纳米纤维的应用及性能研究 |
| 1.3.1 力学性能 |
| 1.3.2 透气性能 |
| 1.3.3 环境响应性能 |
| 1.4 课题研究的意义及内容 |
| 第二章 交联PVDF纳米纤维防护材料制备及其性能表征 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 实验部分 |
| 2.2.1 实验原料及仪器 |
| 2.2.2 交联PVDF纳米纤维网的制备 |
| 2.2.3 防护服衬布的制备 |
| 2.2.4 结构和性能表征 |
| 2.3 测试结果与讨论 |
| 2.3.1 交联纳米纤维网的微观形貌 |
| 2.3.2 纳米纤维网交联机理 |
| 2.3.3 交联纳米纤维网机械性能 |
| 2.3.4 交联纳米纤维网热稳定性 |
| 2.3.5 交联纳米纤维网结晶性 |
| 2.3.6 交联纳米纤维网过滤性和透气性 |
| 2.3.7 交联纳米纤维网润湿性和透湿性 |
| 2.3.8 防护服衬布的性能测试 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 PVDF/PS串珠纳米纤维防护材料的制备及性能表征 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验部分 |
| 3.2.1 实验原料及仪器 |
| 3.2.2 PVDF/PS串珠纳米纤维网制备 |
| 3.2.3 结构和性能表征 |
| 3.3 测试结果与讨论 |
| 3.3.1 微观形貌 |
| 3.3.2 结构分析 |
| 3.3.3 结晶性能 |
| 3.3.4 过滤性和透气性 |
| 3.3.5 润湿性能 |
| 3.3.6 热稳定性能 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 氨气响应的Porous BCP串珠纳米纤维防护材料的制备及性能表征 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验部分 |
| 4.2.1 实验原料及仪器 |
| 4.2.2 响应性Porous BCP串珠纳米纤维网制备 |
| 4.2.3 结构和性能表征 |
| 4.3 测试结果与讨论 |
| 4.3.1 微观形貌 |
| 4.3.2 比表面积和孔径分布 |
| 4.3.3 过滤性能 |
| 4.3.4 润湿性能 |
| 4.3.5 氨气响应性能 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 结论与展望 |
| 5.1 结论 |
| 5.2 展望 |
| 参考文献 |
| 发表论文 |
| 致谢 |
（2）熔喷非织造材料静电驻极方法研究及水驻极机理探索（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 1 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 口罩概述 |
| 1.3 熔喷非织造材料与工艺技术 |
| 1.4 驻极体材料与工艺技术 |
| 1.5 课题研究内容与意义 |
| 2 熔喷非织造材料用静电驻极母粒筛选 |
| 2.1 熔喷非织造材料的制备 |
| 2.2 性能测试与表征 |
| 2.3 实验结果与讨论 |
| 2.4 本章小结 |
| 3 静电驻极熔喷非织造材料工艺优化 |
| 3.1 实验原料与设备 |
| 3.2 熔喷非织造材料的制备 |
| 3.3 性能测试与表征 |
| 3.4 实验结果与讨论 |
| 3.5 本章小结 |
| 4 静电驻极熔喷非织造卷材内外层性能差异分析 |
| 4.1 实验原料与设备 |
| 4.2 熔喷过滤材料卷材的制备 |
| 4.3 卷材的性能表征 |
| 4.4 实验结果与讨论 |
| 4.5 本章小结 |
| 5 水驻极模拟实验与机理探索 |
| 5.1 实验原料 |
| 5.2 水驻极熔喷材料的制备 |
| 5.3 性能测试与表征 |
| 5.4 结果与讨论 |
| 5.5 水驻极机理推测 |
| 5.6 本章小结 |
| 6 结论与展望 |
| 6.1 结论与创新点 |
| 6.2 不足与展望 |
| 参考文献 |
| 攻读学位期间的研究成果 |
| 致谢 |
（3）集成电路ESD静电防护设计及闩锁免疫研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究工作的背景与意义 |
| 1.2 集成电路静电保护研究现状及发展趋势 |
| 1.3 静电防护面临的困难及挑战 |
| 1.3.1 先进工艺下的静电防护设计 |
| 1.3.2 低功耗集成电路的静电防护 |
| 1.3.3 CMOS集成电路中的闩锁问题 |
| 1.4 论文的组织架构 |
| 第二章 集成电路片上ESD防护理论 |
| 2.1 ESD模型分类 |
| 2.1.1 人体放电模型 |
| 2.1.2 机器放电模型 |
| 2.1.3 充电器件模型 |
| 2.2 ESD测试方法 |
| 2.2.1 I/O引脚到VDD和 VSS放电测试 |
| 2.2.2 I/O引脚PIN-TO-PIN测试 |
| 2.2.3 VDD到 VSS之间静电放电测试 |
| 2.3 ESD可靠性和设计窗口 |
| 2.4 全芯片ESD防护理论 |
| 2.5 传统ESD防护器件特性 |
| 2.5.1 二极管 |
| 2.5.2 栅接地的NMOS管(GGNMOS) |
| 2.5.3 硅控整流器 |
| 2.6 典型的ESD物理机制 |
| 2.6.1 ESD器件中的三种击穿机制 |
| 2.6.2 电导调制效应 |
| 2.6.3 柯尔克效应 |
| 2.7 本章小结 |
| 第三章 低压集成电路的ESD防护 |
| 3.1 传统的低触发电压硅控整流器 |
| 3.2 新型MLVTSCR器件设计 |
| 3.2.1 新型MLVTSCR器件结构及原理分析 |
| 3.2.2 新型MLVTSCR器件测试结果及分析 |
| 3.3 改进的新型ILVTSCR器件 |
| 3.3.1 新型ILVTSCR器件结构和操作原理 |
| 3.3.2 新型ILVTSCR器件结果和讨论 |
| 3.4 新型纵向双极结晶体管触发SCR |
| 3.4.1 VBTSCR器件原理及分析 |
| 3.4.2 VBTSCR测试结果与讨论 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 中高压集成电路的ESD防护 |
| 4.1 传统的中高压ESD防护器件优化设计 |
| 4.1.1 降低ESD防护器件放大增益的优化设计 |
| 4.1.2 基于堆叠技术的传统高维持电压ESD设计 |
| 4.2 新型高维持电压硅控整流器HHSCR |
| 4.2.1 HHSCR器件结构及原理分析 |
| 4.2.2 HHSCR器件测试结果及分析 |
| 4.3 新型增强型栅控二极管触发的硅控整流器(EGDTSCR) |
| 4.3.1 EGDTSCR器件结构及原理分析 |
| 4.3.2 EGDTSCR器件测试结果及分析 |
| 4.4 新型高维持电压双向硅控整流器IHBSCR |
| 4.4.1 系统级ESD防护 |
| 4.4.2 RS232系统级ESD保护的设计考虑 |
| 4.4.3 IHBSCR的 TCAD仿真结果和物理机理讨论 |
| 4.4.4 IHBSCR器件测试结果及分析 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 高压LDMOS的 ESD防护 |
| 5.1 传统LDMOS优缺点及自保护 |
| 5.2 栅接地的LDNMOS特性 |
| 5.3 传统LDNMOS-SCR的 ESD特性 |
| 5.4 新型MLDMOS-SCR器件 |
| 5.4.1 改进型MLDMOS-SCR的结构和机理 |
| 5.4.2 MLDMOS-SCR仿真结果与分析 |
| 5.5 新型高压ESD防护ILDMOS-SCR器件 |
| 5.6 基于分割技术的新型SEG_LDMOS-DDSCR器件 |
| 5.6.1 传统双向LDMOS-SCR器件 |
| 5.6.2 基于分割结构的高维持电压设计 |
| 5.6.3 新型高鲁棒性SEG-LDMOS-SCR器件 |
| 5.6.4 新型分割SEG-LDMOS-DDSCR测试结果及分析 |
| 5.7 本章小结 |
| 第六章 结论及展望 |
| 6.1 结论 |
| 6.2 工作展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读博士学位期间取得的成果 |
（5）核电厂某电子设备瞬态抗扰度分析及整改研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 课题背景 |
| 1.2 与课题相关的技术及其发展现状 |
| 1.3 本文主要研究内容 |
| 第2章 瞬态干扰及其防护措施分析 |
| 2.1 瞬态干扰源 |
| 2.2 瞬态干扰耦合途径 |
| 2.3 瞬态干扰抑制器件 |
| 2.3.1 气体放电管(GDT) |
| 2.3.2 压敏电阻(MOV) |
| 2.3.3 固体放电管(TSS) |
| 2.3.4 硅瞬态电压抑制二极管(TVS) |
| 2.4 多级防护电路设计 |
| 2.4.1 防护电路设计规范 |
| 2.4.2 防护电路PCB设计 |
| 2.5 本章小结 |
| 第3章 瞬态抗扰度分析及整改流程 |
| 3.1 ESD抗扰度分析 |
| 3.1.1 ESD抗扰度常见问题 |
| 3.1.2 ESD抗扰度问题自查 |
| 3.1.3 ESD抗扰度问题定位 |
| 3.2 EFT抗扰度分析 |
| 3.2.1 EFT抗扰度常见问题 |
| 3.2.2 EFT抗扰度问题自查 |
| 3.2.3 EFT抗扰度问题定位 |
| 3.3 SURGE抗扰度分析 |
| 3.3.1 SURGE抗扰度常见问题 |
| 3.3.2 SURGE抗扰度问题自查 |
| 3.3.3 SURGE抗扰度问题定位 |
| 3.4 瞬态抗扰度问题整改流程 |
| 3.5 本章小结 |
| 第4章 核电厂某电子设备瞬态抗扰度问题整改 |
| 4.1 设备基本信息收集 |
| 4.1.1 电子设备总体组成 |
| 4.1.2 试验等级及判据 |
| 4.1.3 瞬态抗扰度试验结果 |
| 4.2 设备瞬态抗扰度及安规设计分析 |
| 4.2.1 某电子设备系统瞬态抗扰度分析 |
| 4.2.2 安规问题分析 |
| 4.3 电子设备瞬态抗扰度问题整改方案 |
| 4.3.1 ESD抗扰度问题整改措施 |
| 4.3.2 EFT抗扰度问题整改措施 |
| 4.3.3 SURGE抗扰度问题整改措施 |
| 4.3.4 浪涌防护与介电强度试验之间矛盾及解决方法 |
| 4.4 本章小结 |
| 第5章 总结及展望 |
| 5.1 总结 |
| 5.2 期望 |
| 参考文献 |
| 作者攻读学位期间的科研成果 |
| 致谢 |
（6）基于碳纳米管纸复合材料雷电防护结构的设计及性能表征（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 研究背景及意义 |
| 1.2 雷电防护概述 |
| 1.2.1 飞机遭受雷击的过程 |
| 1.2.2 复合材料的雷击损伤研究 |
| 1.2.3 现有的飞机雷电防护方法 |
| 1.3 碳纳米管纸概述 |
| 1.3.1 碳纳米管纸的制备方法 |
| 1.3.2 碳纳米管纸的性能 |
| 1.4 碳纳米管纸复合材料及应用 |
| 1.4.1 碳纳米管纸复合材料的分类 |
| 1.4.2 碳纳米管纸复合材料的应用 |
| 1.5 本文主要研究内容 |
| 第2章 试验材料及实验方法 |
| 2.1 试验材料与制备设备 |
| 2.2 碳纳米管纸材料的制备 |
| 2.2.1 碳纳米管悬浊液抽滤法制备碳纳米管纸 |
| 2.2.2 化学交联法制备交联碳纳米管纸 |
| 2.2.3 电泳沉积法制备银修饰碳纳米管纸 |
| 2.3 基于碳纳米管纸的复合材料的制备 |
| 2.3.1 CNT/PAN复合薄膜的制备 |
| 2.3.2 基于碳纳米管纸的CFRP复合材料的制备 |
| 2.4 主要测试表征方法 |
| 2.4.1 微观形貌的表征 |
| 2.4.2 成分及物相的表征 |
| 2.4.3 孔径分布及表面性能的表征 |
| 2.4.4 热重分析测试 |
| 2.4.5 导电性能测试 |
| 2.4.6 力学性能测试 |
| 2.4.7 红外热成像测试 |
| 2.4.8 超声波无损检测 |
| 2.4.9 模拟雷击测试 |
| 第3章 碳纳米管纸材料的制备及其性能研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 碳纳米管纸的形貌及基本性能表征 |
| 3.2.1 碳纳米管纸的宏观与微观形貌分析 |
| 3.2.2 碳纳米管纸的分子结构分析 |
| 3.2.3 碳纳米管纸的孔径分布及表面性能分析 |
| 3.2.4 碳纳米管纸的热重分析 |
| 3.2.5 碳纳米管纸的力学性能分析 |
| 3.2.6 碳纳米管纸的导电性能分析 |
| 3.2.7 碳纳米管纸的电磁屏蔽性能分析 |
| 3.3 CNT/PAN复合薄膜的制备及性能表征 |
| 3.3.1 CNT/PAN复合薄膜的设计思路 |
| 3.3.2 CNT/PAN复合薄膜的微观形貌分析 |
| 3.3.3 CNT/PAN复合薄膜的导电性能分析 |
| 3.3.4 CNT/PAN复合薄膜的力学性能分析 |
| 3.3.5 CNT/PAN复合薄膜的电磁屏蔽性能分析 |
| 3.4 交联碳纳米管纸的制备及表征 |
| 3.4.1 交联碳纳米管纸的设计思路 |
| 3.4.2 交联碳纳米管纸的微观形貌表征 |
| 3.4.3 交联碳纳米管纸的力学性能及导电性能表征与分析 |
| 3.4.4 交联碳纳米管纸的树脂浸润性能分析 |
| 3.5 银修饰碳纳米管纸的形貌及基本性能表征 |
| 3.5.1 银修饰碳纳米管纸的微观形貌分析 |
| 3.5.2 银修饰碳纳米管纸的基本属性及导电性能 |
| 3.5.3 银修饰碳纳米管纸的物相分析 |
| 3.5.4 银修饰碳纳米管纸的孔径分布与表面性能分析 |
| 3.5.5 银修饰碳纳米管纸的热重分析 |
| 3.5.6 银修饰碳纳米管纸的力学性能分析 |
| 3.5.7 银修饰碳纳米管纸的电磁屏蔽性能分析 |
| 3.6 本章小结 |
| 第4章 SMBP导电防护结构的雷电防护性能研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 SMBP/CFRP复合材料的制备及形貌表征 |
| 4.2.1 材料的结构设计与制备 |
| 4.2.2 SMBP/CFRP复合材料的形貌分析 |
| 4.3 SMBP/CFRP复合材料的雷电防护性能分析 |
| 4.3.1 雷击后SMBP/CFRP复合材料的形貌分析 |
| 4.3.2 雷击后SMBP/CFRP复合材料的抗压强度分析 |
| 4.3.3 雷击过程中SMBP/CFRP复合材料非雷击面的温度变化分析 |
| 4.3.4 雷击后SMBP防护结构的成分及物相变化分析 |
| 4.4 SMBP导电防护结构的雷电防护机理分析 |
| 4.5 本章小结 |
| 第5章 SMBP-CF/PF导电-耗热防护结构的雷电防护性能研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 CF/PF预浸料的制备及特性表征 |
| 5.2.1 CF/PF预浸料的制备 |
| 5.2.2 CF/PF预浸料固化后的微观形貌分析 |
| 5.2.3 CF/PF预浸料固化后的热重分析 |
| 5.3 SMBP-CF/PF-CFRP复合材料的制备及形貌表征 |
| 5.3.1 材料的结构设计与制备 |
| 5.3.2 SMBP-CF/PF-CFRP复合材料形貌分析 |
| 5.4 SMBP-CF/PF-CFRP复合材料的雷电防护性能分析 |
| 5.4.1 雷击后SMBP-CF/PF-CFRP复合材料的形貌分析 |
| 5.4.2 雷击后SMBP-CF/PF-CFRP复合材料的抗压强度分析 |
| 5.4.3 雷击过程中SMBP-CF/PF-CFRP复合材料非雷击面的温度变化分析 |
| 5.5 SMBP-CF/PF复合防护结构的雷电防护机理分析 |
| 5.6 本章小结 |
| 第6章 SMBP-CF/PF-Al_2O_3 导电-耗热-隔热防护结构的雷电防护性能研究 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 SMBP-CF/PF-Al_2O_3-CFRP复合材料的制备及表征 |
| 6.2.1 材料的结构设计与制备 |
| 6.2.2 CF/PF-Al_2O_3 防护结构的热重分析 |
| 6.2.3 SMBP-CF/PF-Al_2O_3-CFRP形貌分析 |
| 6.3 SMBP-CF/PF-Al_2O_3/PI-CFRP复合材料的制备及表征 |
| 6.3.1 PI静电纺丝薄膜的制备 |
| 6.3.2 PI静电纺丝薄膜的微观形貌分析 |
| 6.3.3 Al_2O_3/PI复合薄膜的制备 |
| 6.3.4 Al_2O_3/PI复合薄膜的表征 |
| 6.3.5 SMBP-CF/PF-Al_2O_3/PI-CFRP复合材料的制备及形貌分析 |
| 6.4 导电-耗热-隔热功能复合雷电防护结构的雷电防护性能分析 |
| 6.4.1 雷击后导电-耗热-隔热功能雷电防护复合材料的形貌分析 |
| 6.4.2 雷击后导电-耗热-隔热功能雷电防护复合材料的抗压强度分析 |
| 6.4.3 雷击过程中导电-耗热-隔热功能雷电防护复合材料非雷击面的温度变化分析 |
| 6.5 导电-耗热-隔热防护结构的雷电防护机理分析 |
| 6.6 本章小结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 攻读博士学位期间所发表的学术论文 |
| 致谢 |
| 个人简历 |
（7）导电纤维对防静电过滤材料结构与性能影响的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 过滤系统中的静电 |
| 1.2.1 产生机理 |
| 1.2.2 产生形式 |
| 1.2.3 静电危害 |
| 1.3 防静电滤材 |
| 1.3.1 防静电滤材的发展历程 |
| 1.3.2 防静电滤材的研究现状 |
| 1.4 防静电性能的测试 |
| 1.5 研究意义和内容 |
| 1.5.1 研究意义 |
| 1.5.2 研究内容 |
| 第二章 导电纤维及其抄造性能的分析 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 实验部分 |
| 2.2.1 实验原料 |
| 2.2.2 实验仪器 |
| 2.2.3 实验方案 |
| 2.3 结果分析与讨论 |
| 2.3.1 导电纤维的形貌分析 |
| 2.3.2 导电纤维的分散性能 |
| 2.3.3 导电纤维在滤材中的分布 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 导电纤维对滤材防静电性能的影响 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验部分 |
| 3.2.1 实验原料 |
| 3.2.2 实验仪器 |
| 3.2.3 实验方案 |
| 3.3 结果与讨论 |
| 3.3.1 滤材中导电纤维的NV值的变化 |
| 3.3.2 导电纤维种类对滤材防静电性能的影响 |
| 3.3.3 导电纤维用量对滤材防静电性能的影响 |
| 3.3.4 碳纤维直径对滤材防静电性能的影响 |
| 3.3.5 不锈钢纤维直径对滤材防静电性能的影响 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 防静电滤材基本性能的研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验部分 |
| 4.2.1 实验原料 |
| 4.2.2 实验仪器 |
| 4.2.3 性能检测 |
| 4.3 结果与讨论 |
| 4.3.1 导电纤维对滤材微观结构的影响 |
| 4.3.2 导电纤维种类对滤材基本性能的影响 |
| 4.3.3 导电纤维用量对滤材基本性能的影响 |
| 4.3.4 碳纤维直径对滤材基本性能的影响 |
| 4.3.5 不锈钢纤维直径对滤材基本性能的影响 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 防静电滤材过滤性能及应用研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 实验部分 |
| 5.2.1 实验原料 |
| 5.2.2 实验仪器 |
| 5.2.3 实验内容及性能检测 |
| 5.3 结果与讨论 |
| 5.3.1 导电纤维对空气滤材过滤性能的影响 |
| 5.3.2 防静电滤清器液体过滤性能的研究 |
| 5.4 本章小结 |
| 总结与展望 |
| 一、论文的主要结论 |
| 二、研究工作的展望 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 |
| 致谢 |
| 附件 |
（8）大气压等离子源输出电荷的检测方法与特性研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 绪论 |
| 1.1 等离子体概述 |
| 1.2 大气压非平衡等离子体源 |
| 1.2.1 大气压非平衡等离子体 |
| 1.2.2 大气压下气体放电形式 |
| 1.2.3 大气压等离子体源离子风 |
| 1.3 大气压等离子体输出电荷特点 |
| 1.4 静电检测的意义 |
| 1.4.1 静电现象理论基础 |
| 1.4.2 静电检测的必要性 |
| 1.4.3 静电检测对离子源及离子风的意义 |
| 1.5 国内外研究进展 |
| 1.6 本文的主要研究内容与研究思路 |
| 2 气流体通道中气体所带电荷密度检测方法 |
| 2.1 气体所带电荷检测的特殊性与要求 |
| 2.1.1 气体所带电荷检测的特殊性 |
| 2.1.2 气体所带电荷检测的要求 |
| 2.2 检测方法与原理设计 |
| 2.3 检测装置设计与搭建 |
| 2.3.1 电荷收集装置 |
| 2.3.2 电荷检测电路 |
| 2.3.3 装置之间电磁兼容 |
| 2.4 检测方法可行性、适用范围及影响因素 |
| 2.4.1 正负电晕放电收集电荷的可行性 |
| 2.4.2 检测方法的适用范围 |
| 2.4.3 收集时长的影响 |
| 2.4.4 电荷吸收器结构的影响 |
| 2.5 本章小结 |
| 3 电晕放电离子风产生装置构建及其输出电荷密度检测 |
| 3.1 电晕放电离子风产生装置构建 |
| 3.2 电晕放电输出电荷密度影响因素 |
| 3.2.1 收集装置填充物与管路摩擦电荷影响 |
| 3.2.2 激励电压的影响 |
| 3.2.3 气流量的影响 |
| 3.2.4 气源种类的影响 |
| 3.3 本章小结 |
| 4 电晕放电负离子源装置构建与输出负电荷检测 |
| 4.1 电晕放电负离子源装置构建 |
| 4.2 电晕放电负离子源输出负电荷检测 |
| 4.2.1 气体配比对输出负电荷影响 |
| 4.2.2 激励电压对输出负电荷影响 |
| 4.3 本章小结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 作者简历及攻读硕士学位期间的科研成果 |
（9）印制电路板的静电放电特性研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究背景及意义 |
| 1.2 国内外研究现状 |
| 1.3 论文的研究内容 |
| 1.4 论文的组织结构 |
| 第二章 理论基础及研究方法 |
| 2.1 静电放电基本理论 |
| 2.1.1 静电放电产生机理 |
| 2.1.2 静电放电基本特点 |
| 2.1.3 静电放电基本模型 |
| 2.2 IEC61000-4-2 标准简介 |
| 2.3 印制电路板 |
| 2.3.1 印制电路板的种类 |
| 2.3.2 印制电路板的组成部分 |
| 2.3.3 印制电路板基本设计 |
| 2.4 电磁仿真软件及数值计算方法 |
| 2.4.1 麦克斯韦方程 |
| 2.4.2 有限积分法 |
| 2.5 CST软件详解 |
| 2.6 静电放电仿真研究的工作流程 |
| 2.7 本章小结 |
| 第三章 PCB静电放电仿真平台的构建 |
| 3.1 整体构架 |
| 3.2 静电放电发生器模型 |
| 3.2.1 静电放电发生器等效电路图 |
| 3.2.2 静电放电发生器三维模型 |
| 3.2.3 IEC标准电流验证 |
| 3.3 PCB模型 |
| 3.3.1 PCB-a模型 |
| 3.3.2 PCB-b模型 |
| 3.4 静电放电发生器与PCB协同仿真 |
| 3.4.1 静电放电发生器与PCB协同仿真模型搭建 |
| 3.4.2 静电放电发生器与PCB协同仿真参数设置 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 PCB静电放电特性仿真分析 |
| 4.1 PCB-a静电放电仿真分析 |
| 4.1.1 静电放电电流波形 |
| 4.1.2 PCB-a上元器件管脚电压波形 |
| 4.1.3 表面电流分布 |
| 4.1.4 电磁场强度分布 |
| 4.1.5 探针电磁场强度 |
| 4.1.6 改变放电点位置仿真分析 |
| 4.1.7 规律小结 |
| 4.2 PCB-b静电放电仿真分析 |
| 4.2.1 静电放电电流波形 |
| 4.2.2 PCB上元器件的管脚电压波形 |
| 4.2.3 表面电流分布 |
| 4.2.4 表面电流传播方向 |
| 4.2.5 电磁场强度分布 |
| 4.2.6 规律小结 |
| 4.3 本章小结 |
| 第五章 静电放电对PCB上差分信号线的影响 |
| 5.1 手机PCB静电放电仿真模型搭建 |
| 5.2 差分信号线上无信号时ESD的仿真分析 |
| 5.2.1 静电放电电流波形 |
| 5.2.2 差分线两端的感应电压波形 |
| 5.2.3 差分线两端的感应电流波形 |
| 5.2.4 实验测试数据对比 |
| 5.2.5 差分线表面电流分布动态示意图 |
| 5.3 差分信号线上有信号时ESD的仿真分析 |
| 5.3.1 无ESD时的信号传输 |
| 5.3.2 有ESD时的信号传输 |
| 5.4 本章小结 |
| 第六章 总结与展望 |
| 6.1 总结 |
| 6.2 展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 作者简介 |
（10）基于0.35μm BCD工艺的ESD防护技术研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 符号对照表 |
| 缩略语对照表 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究背景与意义 |
| 1.2 片上ESD防护的国内外研究现状 |
| 1.3 本文研究内容及结构安排 |
| 第二章 ESD防护原理与器件 |
| 2.1 ESD等效测试模型及其防护等级分类 |
| 2.1.1 人体模型(HBM)及其防护等级分类 |
| 2.1.2 机器模型(MM)及其防护等级分类 |
| 2.1.3 器件充电模型(CDM)及其防护等级分类 |
| 2.2 ESD测试方法 |
| 2.2.1 ESD组合测试 |
| 2.2.2 TLP测试 |
| 2.3 0.35μm BCD工艺下的ESD设计窗口 |
| 2.4 基本ESD防护器件研究 |
| 2.4.1 二极管 |
| 2.4.2 金属氧化物半导体器件 |
| 2.4.3 可控硅整流器 |
| 2.4.4 ESD防护器件比较 |
| 2.5 本章小结 |
| 第三章 基于GGNMOS的ESD防护特性研究 |
| 3.1 GGNMOS防护结构应用的局限 |
| 3.2 版图参数对GGNMOS管防护特性的影响 |
| 3.2.1 GGNMOS参数选取与版图研究 |
| 3.2.2 栅串联电阻 |
| 3.2.3 单根沟道宽度 |
| 3.2.4 叉指个数 |
| 3.2.5 提高GGNMOS鲁棒性建议 |
| 3.3 本章小结 |
| 第四章 具有高维持电流的助触发SCR结构研究 |
| 4.1 降低SCR触发电压 |
| 4.1.1 被动方式 |
| 4.1.2 主动方式 |
| 4.2 提高SCR维持电流 |
| 4.3 高维持电流的PMOS助触发SCR结构研究 |
| 4.4 测试结果分析 |
| 4.4.1 PMOS助触发组数 |
| 4.4.2 改进型PMOS助触发 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 双向SCR结构研究 |
| 5.1 典型DDSCR结构 |
| 5.1.1 ESD原理分析 |
| 5.1.2 测试结果分析 |
| 5.2 改进型DDSCR结构 |
| 5.2.1 ESD原理分析 |
| 5.2.2 关键参数a对改进型DDSCR防护特性影响 |
| 5.3 小回滞DDSCR的高压ESD应用 |
| 5.3.1 小回滞DDSCR |
| 5.3.2 堆叠小回滞DDSCR |
| 5.4 本章小结 |
| 第六章 总结与展望 |
| 6.1 工作总结 |
| 6.2 未来展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 作者简介 |
四、工业生产中静电的产生及其防护（论文参考文献）
- [1]PVDF纳米纤维的结构调控及其防护性能研究[D]. 王学明. 天津工业大学, 2019(01)
- [2]熔喷非织造材料静电驻极方法研究及水驻极机理探索[D]. 卢晨. 东华大学, 2021(09)
- [3]集成电路ESD静电防护设计及闩锁免疫研究[D]. 宋文强. 电子科技大学, 2020(03)
- [4]教育部关于印发普通高中课程方案和语文等学科课程标准（2017年版2020年修订）的通知[J]. 教育部. 中华人民共和国教育部公报, 2020(06)
- [5]核电厂某电子设备瞬态抗扰度分析及整改研究[D]. 夏苗. 南华大学, 2020(01)
- [6]基于碳纳米管纸复合材料雷电防护结构的设计及性能表征[D]. 夏乾善. 哈尔滨工业大学, 2020(01)
- [7]导电纤维对防静电过滤材料结构与性能影响的研究[D]. 秦琼. 华南理工大学, 2019(06)
- [8]大气压等离子源输出电荷的检测方法与特性研究[D]. 曹慧娟. 大连海事大学, 2019(06)
- [9]印制电路板的静电放电特性研究[D]. 许文婷. 东南大学, 2019(06)
- [10]基于0.35μm BCD工艺的ESD防护技术研究[D]. 张一超. 西安电子科技大学, 2019(02)